[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

说明书

本发明提出一种半导体结构及其制造方法，包括：提供一半导体衬底，依次形成氧化层和牺牲层于所述半导体衬底上，其中，所述氧化层的厚度为第一厚度；形成多个沟槽于所述半导体衬底上，所述沟槽从所述牺牲层延伸至所述半导体衬底中；形成隔离介质层于所述多个沟槽及所述牺牲层上，并移除位于所述牺牲层上的所述隔离介质层，以形成多个隔离结构；形成阱区于所述半导体衬底中；通过刻蚀工艺对所述氧化层进行处理，以使所述氧化层的厚度等于第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度；形成多晶硅层于刻蚀后的所述氧化层上。本发明提出的半导体结构的制造方法可以提高半导体器件的可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。

背景技术

随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的信息存储量以及更多的功能，半导体芯片向更高集成度方向发展。栅氧化层为通过将衬底表层的硅氧化为二氧化硅形成，是用作隔离的氧化介质层。在大规模集成电路中，栅氧化层的性能直接决定了集成电路的性能、可靠性以及成品率。栅极氧化层的质量对于最后形成的半导体器件的性能和良率是至关重要的。如果栅极氧化层的表面上具有大量的缺陷，当在栅极氧化层上形成栅极结构后，由于栅极氧化层与栅极结构接触的表面上有大量的缺陷，导致半导体器件的可靠性降低，进而导致最终器件的良率和性能的损失。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺陷，本发明提出一种半导体结构及其制造方法，以改善栅极氧化层的质量，从而提高半导体器件的可靠性。

为实现上述目的及其他目的，本发明提出一种半导体结构的制造方法，包括：

提供一半导体衬底；

依次形成氧化层和牺牲层于所述半导体衬底上，其中，所述氧化层的厚度为第一厚度；

形成多个沟槽于所述半导体衬底上，所述沟槽从所述牺牲层延伸至所述半导体衬底中；

形成隔离介质层于所述多个沟槽及所述牺牲层上，并移除位于所述牺牲层上的所述隔离介质层，以形成多个隔离结构；

形成阱区于所述半导体衬底中；

通过刻蚀工艺对所述氧化层进行处理，以使所述氧化层的厚度等于第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度；

形成多晶硅栅极于刻蚀后的所述氧化层上。

进一步地，所述第一厚度为450-500埃，所述牺牲层的厚度为1400-1600埃。

进一步地，所述沟槽的深度为2000-9000埃。

进一步地，形成所述阱区之前，还包括移除所述牺牲层。

进一步地，所述阱区包括第一阱区和第二阱区。

进一步地，所述第一阱区的深度为1.4-1.6微米，所述第二阱区的深度为1.4-1.6微米。

进一步地，所述隔离结构位于所述第一阱区和所述第二阱区之间。

进一步地，使用稀氢氟酸溶液刻蚀所述氧化层，所述稀氢氟酸溶液中氢氟酸与去离子水的比例为1:300-1:400，刻蚀时间为300-400秒。

进一步地，所述第二厚度为380-400埃。

进一步地，本发明还提出一种半导体结构，包括：

半导体衬底；

氧化层，位于所述半导体衬底上；

多个隔离结构，位于所述半导体衬底中，且其顶面高于所述半导体衬底表面；

第一阱区，位于所述半导体衬底中；