[发明专利]柔性Micro-LED显示面板及其制作方法

权利要求书

1.一种柔性Micro-LED显示面板，其特征在于，包括：

阵列基板，包括第一衬底基板以及设置于所述第一衬底基板上的薄膜晶体管阵列层；

第一连接电极层，设置于所述薄膜晶体管阵列层上，并与所述薄膜晶体管阵列层电连接；

第二连接电极层，设置于所述第一连接电极层上；

多个Micro-LED芯片，设置于所述第二连接电极层上，所述Micro-LED芯片经由所述第一连接电极层和所述第二连接电极层连接至所述薄膜晶体管阵列层；

柔性封装层，覆盖所述Micro-LED芯片；以及

第二衬底基板，设置于所述柔性封装层上；

其中，所述第一衬底基板和所述第二衬底基板均为柔性基板，所述第一衬底基板和所述第二衬底基板所采用的材料为CPI，所述第二衬底基板用于控制所述柔性Micro-LED 显示面板的中性层位于所述薄膜晶体管阵列层上。

2.根据权利要求1所述的柔性Micro-LED显示面板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

阻隔层，设置于所述第一衬底基板上；

遮光层，设置于所述阻隔层上；

缓冲层，覆盖所述遮光层和所述阻隔层；

有源层，设置于所述缓冲层上，所述遮光层和所述有源层相对设置；

栅极绝缘层，设置于所述有源层上；

栅极层，设置于所述栅极绝缘层上；

层间介质层，覆盖所述栅极层、所述有源层及所述缓冲层上；

源极和漏极，设置于所述层间介质层上，所述源极和所述漏极连接至所述有源层；

钝化层，覆盖所述源极、所述漏极及所述层间介质层，所述第一连接电极设置于所述钝化层上；以及

黑矩阵层，设置于相邻两个所述Micro-LED芯片之间，所述柔性封装层覆盖所述Micro-LED芯片、所述黑矩阵层以及所述第二连接电极层 。

3.根据权利要求2所述的柔性Micro-LED显示面板，其特征在于，所述遮光层、所述栅极层、所述源极以及所述漏极所采用的材料为铝-钕合金。

4.根据权利要求2所述的柔性Micro-LED显示面板，其特征在于，所述阻隔层和所述柔性封装层所采用的材料为TG-41聚合物。

5.根据权利要求2所述的柔性Micro-LED显示面板，其特征在于，所述有源层所采用的材料为IGZO。

6.根据权利要求1所述的柔性Micro-LED显示面板，其特征在于，所述第二衬底基板的厚度为8um～12um。

7.一种柔性Micro-LED显示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10：制备阵列基板，所述阵列基板包括第一衬底基板，在所述第一衬底基板上形成薄膜晶体管阵列层；

S20：在所述薄膜晶体管阵列层上依次形成第一连接电极层、第二连接电极层以及黑矩阵层，所述第一连接电极层和所述第二连接电极层电连接；

S30：将多个Micro-LED芯片转移至所述第二连接电极层上，进行固晶键合处理，以使所述Micro-LED芯片经由所述第一连接电极层和所述第二连接电极层连接至所述薄膜晶体管阵列层；

S40：在所述Micro-LED芯片上形成柔性封装层；以及

S50：在所述柔性封装层上形成第二衬底基板，使得所述柔性Micro-LED 显示面板的中性层A位于所述Micro-LED芯片上，所述第一衬底基板和所述第二衬底基板所采用的材料为CPI。

8.根据权利要求7所述的柔性Micro-LED显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S10包括以下步骤：

S101：提供所述第一衬底基板，在所述第一衬底基板上依次形成阻隔层、遮光层以及缓冲层；以及

S102：在所述缓冲层上形成所述薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层包括依次形成于所述缓冲层上的有源层、栅极绝缘层、栅极层、层间介质层、源极和漏极以及钝化层。