[发明专利]一种近红外透过滤光片及其制备方法

权利要求书

1.一种近红外透过滤光片，其特征在于，包括玻璃基底、设于玻璃基底一侧的长波通膜系、以及设于玻璃基底另一侧的AR膜系；所述长波通膜系包括逐层交替沉积的高折射率膜层和中折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层；所述AR膜系包括逐层交替沉积的中折射率膜层和低折射率膜层；所述长波通膜系包括逐层交替沉积的第一氢氧硅膜层和第二氢氧化硅膜层，以及作为最外层的氧化硅膜层；AR膜系包括逐层交替沉积的氧化钛膜层和氧化硅膜层。

2.根据权利要求1所述的一种近红外透过滤光片，其特征在于，所述长波通膜系通过磁控溅射方法镀膜完成。

3.根据权利要求1所述的一种近红外透过滤光片，其特征在于，所述AR膜系通过电子束蒸发方法镀膜完成。

4.根据权利要求1所述的一种近红外透过滤光片，其特征在于，所述近红外透过滤光片的波长为820-980nm。

5.一种近红外透过滤光片制备方法，在真空溅射镀膜机和电子束蒸发镀膜机中实现，其特征在于，方法包括：

步骤S01，将玻璃基底放入低真空腔室中并抽真空；

步骤S02，将玻璃基底放入高真空腔室中并抽真空；

步骤S03，用射频源发出的等离子体轰击玻璃基底表面；

步骤S04，采用磁控溅射方法在玻璃基底一侧沉积长波通膜系，所述长波通膜系包括逐层交替沉积的高折射率膜层和中折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层；所述步骤S04包括：

步骤S41，进行第一氢氧化硅膜层沉积，射频氧化源工作功率为0.5-4.5kw，工作气体Ar流量为50-800sccm，H₂流量为0-200sccm，O₂流量为0-500sccm，膜层沉积速率为0.3-0.8nm/s；

步骤S42，进行第二氢氧化硅膜层沉积，射频氧化源工作功率为0.5-4.5kw，工作气体Ar流量为50-800sccm，O₂流量为0-500sccm，H₂流量为0-200,膜层沉积速率为0.5-1.0nm/s；

步骤S43，按此方式循环步骤S41-S42直到最后第二层；

步骤S44，最后一层进行氧化硅膜层沉积，射频氧化源工作功率为0.5-4.5kw，工作气体Ar流量为50-800sccm，O2流量为5-500sccm,膜层沉积速率为0.5-1.5nm/s；

步骤S05，将单面玻璃基底放入真空腔室并抽真空；

步骤S06，采用电子束蒸发方法在玻璃基底另一侧沉积AR膜系，所述AR膜系包括逐层交替沉积的中折射率膜层和低折射率膜层；所述步骤S06包括：

步骤S61，进行氧化钛膜层沉积；

步骤S62，进行氧化硅膜层沉积；

步骤S63，按此方式循环步骤S61-S62直到最后一层；

步骤S07，将玻璃基底自然冷却至室温，得到近红外透过滤光片。

6.根据权利要求5所述的一种近红外透过滤光片制备方法，其特征在于，制备的近红外透过滤光片满足0-52°的大角度入射，且在820-980nm波段具有高透过率，在300-750nm波段截止，在420-650nm波段具有低反射性。