[发明专利]一种近红外透过滤光片及其制备方法

说明书

一种近红外透过滤光片及其制备方法，属于镀膜技术领域。滤光片包括玻璃基底、设于玻璃基底一侧的长波通膜系、以及设于玻璃基底另一侧的AR膜系；长波通膜系包括逐层交替沉积的高折射率膜层和中折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层；AR膜系包括逐层交替沉积的中折射率膜层和低折射率膜层。方法包括：采用磁控溅射方法在玻璃基底一侧沉积上述长波通膜系，并采用电子束蒸发方法在玻璃基底另一侧沉积上述AR膜系。本发明可以满足大角度(0‑52°)光谱特性要求，且在可见光/截止波段具有低反射特性(＜4.5％)，可以消除杂反光对光学元件光谱特性的影响。

技术领域

本发明属于镀膜技术领域，具体涉及一种近红外透过滤光片及其制备方法。

背景技术

现有近红外透过滤光片的制备方法如下：(1)将干净的玻璃基底装入清洁的低真空室中，并抽真空；(2)将玻璃基底搬入高真空室中，并抽真空；(3)用射频源发出的等离子体轰击玻璃基底表面；(4)采用磁控溅射方法在玻璃基底的一侧逐层交替沉积第一长波通膜系中的氢化硅膜层和氧化硅膜层，直至完成第一长波通膜系的沉积；(5)在玻璃基底的另一侧逐层交替沉积第二长波通膜系中的氢化硅膜层和氧化硅膜层，直至完成第二长波通膜系的沉积；(6)玻璃基底自然冷却至室温得到一种830-950nm近红外透过滤光片。上述方法存在如下缺点：1.不能满足大角度光学特性(透射/反射)要求；2.可见光/截止波段反射较高(40％-90％)，存在杂反光影响光学元件使用质量。

在先发明申请CN201910165758.3公开了滤光片及其制备方法，并具体公开了滤光片包括透明基底以及分别设置在所述透明基底两侧的第一长波通膜系和第二长波通膜系；所述第一长波通膜系和所述第二长波通膜系均包括交替叠加的高折射率膜层和低折射率膜层。该发明仅得到830-950nm透过近红外滤光片，且不具备低反射性。

发明内容

本发明针对现有技术存在的问题，提出了一种近红外透过滤光片及其制备方法，可以满足大角度(0-52°)光谱特性要求，且在可见光/截止波段具有低反射特性(＜4.5％)，可以消除杂反光对光学元件光谱特性的影响。

本发明是通过以下技术方案得以实现的：

本发明一种近红外透过滤光片，包括玻璃基底、设于玻璃基底一侧的长波通膜系、以及设于玻璃基底另一侧的AR膜系；所述长波通膜系包括逐层交替沉积的高折射率膜层和中折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层；所述AR膜系包括逐层交替沉积的中折射率膜层和低折射率膜层。

该滤光片在大角度入射(0° -52°)可见光波段具备低反射特性。

作为优选，所述长波通膜系包括逐层交替沉积的第一氢氧化硅膜层和第二氢氧化硅膜层，以及作为最外层的氧化硅膜层。

作为优选，AR膜系包括逐层交替沉积的氧化钛膜层和氧化硅膜层。

作为优选，所述长波通膜系通过磁控溅射方法镀膜完成。

作为优选，所述AR膜系通过电子束蒸发方法镀膜完成。

作为优选，所述近红外透过滤光片的波长为820-980nm。

一种近红外透过滤光片制备方法，在真空溅射镀膜机和电子束蒸发镀膜机中实现，方法包括：

步骤S01，将玻璃基底放入低真空腔室中并抽真空；

步骤S02，将玻璃基底放入高真空腔室中并抽真空；

步骤S03，用射频源发出的等离子体轰击玻璃基底表面；

步骤S04，采用磁控溅射方法在玻璃基底一侧沉积长波通膜系，所述长波通膜系包括逐层交替沉积的高折射率膜层和中折射率膜层，以及为低折射率膜层的最外层；

步骤S05，将单面玻璃基底放入真空腔室并抽真空；