[发明专利]一种掩膜版、制备半导体器件的方法和半导体器件有效
| 申请号： | 202010509455.1 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN111638625B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 凌坚;孙彬 | 申请（专利权）人： | 厦门通富微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明;赵吉阳 |
| 地址： | 361012 福建省厦门市自由贸易试验区厦门片*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掩膜版 制备 半导体器件 方法 | ||
1.一种掩膜版，其特征在于，包括掩膜基板，所述掩膜基板上设置有至少一个有效开窗区域以及环绕所述至少一个有效开窗区域设置的非开窗区域；其中，
至少一个所述有效开窗区域的外侧设置有至少一个无效开窗区域，所述无效开窗区域能够使得通过对应的所述有效开窗区域形成的显影区域在受热时不发生变形；
所述无效开窗区域朝向对应的所述有效开窗区域的一侧、与所述有效开窗区域朝向所述无效开窗区域的一侧之间的距离不小于预设的第一阈值，且所述无效开窗区域的宽度不大于预设的第二阈值。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一阈值的范围为20um～50um。
3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第二阈值范围为2um～4um。
4.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，各所述无效开窗区域与对应的所述有效开窗区域之间的距离均相等。
5.根据权利要求1至4任一项所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜基板上间隔设置有多个所述有效开窗区域；其中，
所述多个有效开窗区域沿其预定的第一方向的至少一侧分别对应设置有多个第一无效开窗区域；和/或，
第一个所述有效开窗区域和/或最后一个所述有效开窗区域沿其预定的第二方向的外侧设置有至少一个第二无效开窗区域；
所述第一方向与所述第二方向不同。
6.根据权利要求5所述的掩膜版，其特征在于，每个所述第一无效开窗区域的长度不小于对应所述有效开窗区域的宽度；和/或，
全部所述第二无效开窗区域的长度之和不小于对应所述有效开窗区域的长度。
7.根据权利要求5所述的掩膜版，其特征在于，所述第一无效开窗区域和/或所述第二无效开窗区域为一体成型结构。
8.一种制备半导体器件的方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底沿其厚度方向的一侧形成光刻胶层；
以权利要求1至7任一项所述的掩膜版为掩膜，对所述光刻胶层进行曝光、显影和烘烤处理，以在所述光刻胶层上形成目标图形；
在所述目标图形内形成目标填充材料；
去除所述光刻胶层，以制备获得所述半导体器件。
9.一种半导体器件，其特征在于，采用权利要求8所述的方法制作形成。
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G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
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