[发明专利]用于制造半导体倒装芯片封装的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体倒装芯片封装的方法(200)，所述方法包括：

提供引线框架，所述引线框架包括管芯焊盘和/或一个或多个引线(210)；

在所述管芯焊盘之上和/或所述引线中的一个或多个之上形成一个或多个柱(220)；

提供半导体管芯，所述半导体管芯在其主面上包括一个或多个接触焊盘(230)；

将所述半导体管芯附接到所述管芯焊盘，使得所述接触焊盘中的至少一个与所述柱中的一个连接(240)；以及

将包封物施加到所述管芯焊盘、所述引线和所述半导体管芯(250)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中

所述柱通过电流镀覆形成。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中

所述柱由Cu、Al、其合金或Cu/Zn合金制成，并且在上表面上包括焊料层，所述焊料层包括Sn、SnAg、Ag、NiAu或Pd中的一个或多个。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中

所述柱包括基座支柱、沉积到所述基座支柱的上表面上的硅酮支柱、以及沉积到所述硅酮支柱的表面上的金属层，所述金属层特别是金属螺旋部，特别是铜螺旋部。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中

所述柱的高度在从20μm至120μm、更具体地为从40μm至100μm、更具体地为从40μm至80μm、更具体地为从40μm至60μm的范围内。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中

所述柱的宽度在从40μm至120μm、从80μm至120μm、或从40μm至80μm、更具体地为从50μm至70μm的范围内。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中

所述柱的宽度大于所述引线的宽度。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：在所述导电柱的顶部上施加焊料材料，以及通过焊接工艺将所述半导体管芯的所述接触焊盘连接到所述导电柱。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，还包括：

通过Cu-Cu扩散键合或超声键合将所述半导体管芯的所述接触焊盘连接到所述柱。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中

形成所述一个或多个柱是通过如下方式以加法执行的：将掩模放置在所述衬底或所述引线上方，所述掩模包括限定待形成的所述柱的位置的掩模开口，并且然后将所述柱的材料沉积到所述掩模开口中。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中

形成所述一个或多个柱是通过如下方式以减法执行的：以连续层的形式沉积待形成的所述柱的所述材料，并且然后移除所述层的部分使得仅保留所述柱。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：

通过如下方式来制造多个半导体倒装芯片封装：

提供包括多个衬底或引线框架的面板；

提供多个半导体管芯；

将所述半导体管芯附接到所述面板；

将包封物施加到所述面板和所述半导体管芯；以及

将所述面板单个化成多个半导体倒装芯片封装。

13.根据权利要求12所述的方法，其中

所述面板的大小在从100x 100mm²至1000x 1000mm²的范围内。