[发明专利]基片处理方法和基片处理装置在审
申请号: | 202010511151.9 | 申请日: | 2020-06-08 |
公开(公告)号: | CN112103209A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 冈村尚幸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
1.一种基片处理方法,其特征在于,包括:
向基片供给处理液的处理液供给步骤;
在所述处理液供给步骤之后,一边向所述基片供给所述处理液,一边还向所述基片供给挥发性比所述处理液高的干燥用液体的两种液体供给步骤;
在所述两种液体供给步骤中,使所述处理液的排出位置向所述基片的外周部移动的第1移动步骤;和
在所述第1移动步骤之后,且从开始向所述基片供给所述干燥用液体起经过了预先设定的时间之后,使所述干燥用液体的排出位置向所述基片的外周部移动的第2移动步骤。
2.如权利要求1所述的基片处理方法,其特征在于:
所述预先设定的时间是基于以下两者来确定的,即:所述干燥用液体所流通的配管中的位于比切换所述干燥用液体的排出和不排出的阀靠下游侧的部分的容积;和所述配管中流通的所述干燥用液体的流量。
3.如权利要求1所述的基片处理方法,其特征在于:
所述预先设定的时间设定为比以下时间短的时间,即:阀打开之后起到从所述阀产生的杂质能够与所述干燥用液体一起被排出所需的时间,其中,所述阀是设置在所述干燥用液体所流通的配管中的切换所述干燥用液体的排出和不排出的阀。
4.如权利要求1~3中任一项所述的基片处理方法,其特征在于:
还包括在所述第2移动步骤之后,使所述干燥用液体的排出位置向所述基片的中央部移动的第3移动步骤。
5.如权利要求4所述的基片处理方法,其特征在于:
还包括在所述第2移动步骤之后且所述第3移动步骤之前,将所述干燥用液体的排出位置维持在所述基片的外周部的维持步骤。
6.如权利要求5所述的基片处理方法,其特征在于:
还包括在所述维持步骤中使所述基片的转速增加的转速变更步骤。
7.如权利要求5或6所述的基片处理方法,其特征在于:
还包括在所述维持步骤中使所述干燥用液体的流量增加的流量变更步骤。
8.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理方法,其特征在于:
所述第2移动步骤使所述干燥用液体的排出位置移动到所述基片的外方。
9.一种基片处理装置,其特征在于,具有:
能够将基片以可旋转的方式保持的保持部;
第1供给部,其包括向所述保持部所保持的所述基片供给处理液的第1喷嘴和使所述第1喷嘴移动的第1移动机构;
第2供给部,其包括向所述保持部所保持的所述基片供给挥发性比所述处理液高的干燥用液体的第2喷嘴和使所述第2喷嘴移动的第2移动机构;和
控制部,其通过控制所述第1供给部和所述第2供给部来执行以下处理,即:向所述基片供给处理液的处理液供给处理;在所述处理液供给处理之后,一边向所述基片供给所述处理液,一边还向所述基片供给干燥用液体的两种液体供给处理;在所述两种液体供给处理中,使所述处理液的排出位置向所述基片的外周部移动的第1移动处理;和在所述第1移动处理之后,且从开始向所述基片供给所述干燥用液体起经过了预先设定的时间之后,使所述干燥用液体的排出位置向所述基片的外周部移动的第2移动处理。
10.如权利要求9所述的基片处理装置,其特征在于:
所述第2供给部还包括:
将所述干燥用液体供给到所述第2喷嘴的配管;和
设置在所述配管中的、通过开闭所述配管来切换所述干燥用液体的排出和不排出的阀,
所述阀的关闭速度设定得比打开速度慢。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造