[发明专利]基片处理方法和基片处理装置在审
申请号: | 202010511151.9 | 申请日: | 2020-06-08 |
公开(公告)号: | CN112103209A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 冈村尚幸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
本发明提供一种基片处理方法和基片处理装置。本发明的基片处理方法包括处理液供给步骤、两种液体供给步骤、第1移动步骤和第2移动步骤。处理液供给步骤,向基片供给处理液。两种液体供给步骤,在处理液供给步骤之后,一边向基片供给处理液,一边还向基片供给挥发性比处理液高的干燥用液体。第1移动步骤,在两种液体供给步骤中,使处理液的排出位置向基片的外周部移动。第2移动步骤,在第1移动步骤之后,且从开始向基片供给干燥用液体起经过了预先设定的时间之后,使干燥用液体的排出位置向基片的外周部移动。根据本发明,能够降低附着于基片的颗粒的量。
技术领域
本发明涉及基片处理方法和基片处理装置。
背景技术
作为使清洗处理后的基片干燥的方法,已知有通过对基片的表面供给挥发性液体,来将残留在基片上的液体置换为挥发性液体,之后,通过使挥发性液体挥发来使基片干燥的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-213105号公报。
发明内容
本发明提供一种能够降低附着于基片的颗粒的量的技术。
本发明的一个方式的基片处理方法包括处理液供给步骤、两种液体供给步骤、第1移动步骤和第2移动步骤。处理液供给步骤,向基片供给处理液。两种液体供给步骤,在处理液供给步骤之后,一边向基片供给处理液,一边还向基片供给挥发性比处理液高的干燥用液体。第1移动步骤,在两种液体供给步骤中,使处理液的排出位置向基片的外周部移动。第2移动步骤,在第1移动步骤之后,且从开始向基片供给干燥用液体起经过了预先设定的时间之后,使干燥用液体的排出位置向基片的外周部移动。
根据本发明,能够降低附着于基片的颗粒的量。
附图说明
图1是表示实施方式的基片处理系统的构成的图。
图2是表示实施方式的处理单元的构成的图。
图3是表示处理单元所执行的基片处理的处理步骤的流程图。
图4是表示置换处理的动作例的图。
图5是表示置换处理的动作例的图。
图6是表示置换处理的动作例的图。
图7是表示置换处理的动作例的图。
图8是表示置换处理的动作例的图。
图9是表示置换处理的动作例的图。
图10是表示变形例的第2移动步骤的动作例的图。
附图标记说明
W 晶片
1 基片处理系统
2 送入送出站
3 处理站
4 控制装置
16 处理单元
18 控制部
19 存储部
20 腔室
30 基片保持机构
31 保持部
32 支柱部
33 驱动部
40 第1供给部
41 冲洗液喷嘴
42 药液喷嘴
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造