[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

晶体基底，具有在竖直方向上彼此背对的第一表面和第二表面；

绝缘层，设置在晶体基底的第一表面上；

蚀刻停止层，插置在晶体基底与绝缘层之间，并接触晶体基底和绝缘层；

导电通孔结构，穿透晶体基底和绝缘层；以及

绝缘分隔层，与导电通孔结构水平相邻地设置，并具有内壁和背对内壁的外壁，内壁接触导电通孔结构，

其中，绝缘分隔层包括设置在导电通孔结构与晶体基底之间的第一部分和设置在导电通孔结构与蚀刻停止层之间的第二部分，并且

其中，第二部分的外壁相对于导电通孔结构从第一部分的外壁水平地突出。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一部分的外壁与导电通孔结构之间的第一间隙比第二部分的外壁与导电通孔结构之间的第二间隙小。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括设置在绝缘层的底表面上的布线图案，

其中，导电通孔结构连接到布线图案。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，布线图案包括金属图案和阻挡金属膜，阻挡金属膜插置在金属图案与绝缘层之间。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，绝缘分隔层围绕导电通孔结构。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括设置在晶体基底中和/或晶体基底的第一表面上的晶体管。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，导电通孔结构的高度为10μm至100μm。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，绝缘分隔层的下表面设置在与绝缘层的上表面相同的水平处。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，蚀刻停止层包括与绝缘层的材料不同的材料。

10.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

晶体半导体基底；

蚀刻停止层，设置在晶体半导体基底的第一表面上；

导电通孔结构，穿透晶体半导体基底和蚀刻停止层；以及

绝缘分隔层，设置在导电通孔结构与晶体半导体基底之间，

其中，绝缘分隔层的下部接触蚀刻停止层的一部分。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，所述半导体器件还包括设置在蚀刻停止层下面的布线图案。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，所述半导体器件还包括绝缘层，绝缘层设置在蚀刻停止层与布线图案之间，并且相对于蚀刻停止层具有蚀刻选择性，

其中，导电通孔结构穿过绝缘层。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，绝缘分隔层包括设置在导电通孔结构与晶体半导体基底之间的第一部分和设置在导电通孔结构与蚀刻停止层之间的第二部分，

其中，第二部分连接到第一部分，并且

其中，第二部分朝向蚀刻停止层的侧表面突出。

14.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，从剖视图看，绝缘分隔层包括设置在导电通孔结构的第一侧壁上的第一绝缘隔离图案和设置在导电通孔结构的第二侧壁上的第二绝缘隔离图案，

其中，第二侧壁与第一侧壁相对，

其中，第一绝缘隔离图案和第二绝缘隔离图案均包括：第一部分，设置在导电通孔结构与晶体半导体基底之间；以及第二部分，设置在导电通孔结构与蚀刻停止层之间，并连接到第一部分，并且

其中，第一绝缘隔离图案的第二部分和第二绝缘隔离图案的第二部分朝向蚀刻停止层的相应的侧表面突出。

15.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，导电通孔结构具有10μm至100μm的高度。