[发明专利]半导体器件

说明书

本公开的多个方面涉及一种半导体器件，所述半导体器件包括：晶体基底，具有在竖直方向上彼此背对的第一表面和第二表面；以及绝缘层，设置在晶体基底的第一表面上。半导体器件还可以包括：蚀刻停止层，插置在晶体基底与绝缘层之间并且接触晶体基底和绝缘层；以及导电通孔结构，穿透晶体基底和绝缘层。半导体器件还可以包括绝缘分隔层，所述绝缘分隔层与导电通孔结构水平相邻地设置，并具有内壁和外壁。绝缘分隔层可以包括设置在导电通孔结构与晶体基底之间的第一部分和设置在导电通孔结构与蚀刻停止层之间的第二部分。

本申请要求于2019年9月4日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2019-0109641号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

发明构思涉及一种半导体器件和一种用于制造该半导体器件的方法，更具体地，涉及一种包括硅通孔的半导体器件和一种用于制造该半导体器件的方法。

背景技术

半导体器件可以通过通孔电连接到另一半导体器件或印刷电路板。通孔可以用于三维芯片安装中，并且可以传递比常规焊料球或焊料凸块的传送速度快的传送速度。由于半导体器件变得高度集成，所以存在开发物理可靠且电可靠的通孔的需求。

发明内容

提供了一种根据发明构思的示例性实施例的半导体器件。本公开的一方面涉及一种半导体器件，所述半导体器件包括晶体基底，所述晶体基底具有在竖直方向上彼此背对的第一表面和第二表面。半导体器件还可以包括设置在晶体基底的第一表面上的绝缘层。半导体器件还可以包括插置在晶体基底与绝缘层之间并接触晶体基底和绝缘层的蚀刻停止层。半导体器件还可以包括穿透晶体基底和绝缘层的导电通孔结构。半导体器件还可以包括绝缘分隔层，所述绝缘分隔层与导电通孔结构在水平方向上相邻设置，并具有内壁和背对内壁的外壁，内壁接触导电通孔结构。绝缘分隔层可以包括设置在导电通孔结构与晶体基底之间的第一部分和设置在导电通孔结构与蚀刻停止层之间的第二部分。第二部分的外壁可以相对于导电通孔结构从第一部分的外壁沿水平方向突出。

本公开的附加方面涉及一种半导体器件，所述半导体器件包括晶体半导体基底。半导体器件还可以包括设置在晶体半导体基底的第一表面上的蚀刻停止层。半导体器件还可以包括穿透晶体半导体基底和蚀刻停止层的导电通孔结构。半导体器件还可以包括设置在导电通孔结构与晶体半导体基底之间的绝缘分隔层。绝缘分隔层的下部可以接触蚀刻停止层的一部分。

本公开的附加方面涉及一种半导体器件。半导体器件可以包括基底。半导体器件还可以包括设置在基底上的第一半导体器件。半导体器件还可以包括设置在第一半导体器件上的第二半导体器件。第一半导体器件可以包括：第一晶体半导体基底；第一蚀刻停止层，设置在第一晶体半导体基底的第一表面上。第一半导体器件还可以包括：第一导电通孔结构，穿透第一晶体半导体基底和第一蚀刻停止层，并具有10μm至100μm的高度；以及第一绝缘分隔层，设置在第一导电通孔结构与第一晶体半导体基底之间。第一绝缘分隔层的下部可以接触第一蚀刻停止层的一部分。

附图说明

从下面的结合附图的详细描述，将更清楚地理解发明构思的一些示例实施例。

图1是示出根据示例实施例的半导体器件的剖视图。

图2A是示出根据示例实施例的半导体器件的剖视图。

图2B是图2A的区域B的放大图。

图2C是示出根据示例实施例的通孔结构和布线图案的剖视图。

图3A、图3C、图3D、图3E、图3F、图3H、图3I和图3J是用于描述根据示例实施例的制造半导体器件的方法的剖视图。

图3B是图3A的区域B的放大图。

图3G是图3F的区域B的放大图。

图4A、图4B和图4D是用于描述根据示例实施例的制造半导体器件的方法的剖视图。