[发明专利]一种X射线荧光光谱分析低硅硅铁中主要元素含量的方法

权利要求书

1.一种X射线荧光光谱分析低硅硅铁中主要元素含量的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)用化学法对标准样品进行定值，用压片法将各个有化学法定值的标准样品分别制成可供X射线荧光光谱仪分析的标准样片，并用化学法值作为标准值建立标准曲线；

2)用X射线荧光光谱仪对上述标准样片中的一个或几个分别进行扫描，建立基础分析条件；

3)标准曲线范围中各元素含量Si为11.08-18.73％，Mn为0.12-0.42％，P为0.22-0.96％，对各个有化学法定值的标准样片按照基础分析条件用X射线荧光光谱仪分别进行测量，根据经验系数法对标准曲线中的元素进行添加修正，进行拟合后，重新生成标准曲线；

4)用压片法将待测样品制成可供X射线荧光光谱仪分析的待测样片；

5)待测样片分析：再用X射线荧光光谱仪对待测样片进行X射线荧光光谱分析。

2.根据权利要求1所述的X射线荧光光谱分析低硅硅铁中主要元素含量的方法，其特征在于，所述标准样片和待测样片的制作方法是：将标准样品或待测样品经破碎、缩分、研磨后，充分混合均匀，标准样品或待测样品粒度达到150目以上；将标准样品或待测样品称取5g-7g左右放置在UPHS型超高压压片机模具杯内，模具采用聚乙烯材质制成，放样后小心将标准样品或待测样品铺平，放置在压片机成型压力模具内；设定好压力参数后，进行压片操作；将制得的标准样片或待测样片置于密封保存袋中待测。

3.根据权利要求2所述的X射线荧光光谱分析低硅硅铁中主要元素含量的方法，其特征在于，所述压力设定为160吨-200吨，保压时间为10秒。

4.根据权利要求3所述的X射线荧光光谱分析低硅硅铁中主要元素含量的方法，其特征在于，进行压片操作时分四段进行升压操作，具体为：第一段压力为30-40吨，保压10秒；继续升压到第二段压力为70-80吨，保压10秒；继续升压到第三段压力为130-150吨，保压10秒；升压到设定压力160吨-200吨，再保压10秒。