[发明专利]垂直存储器装置

权利要求书

1.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：

基底，包括单元区、位于单元区的两个相对侧上的贯穿通孔区以及围绕单元区和贯穿通孔区的模制件区；

栅电极结构，包括位于基底上的栅电极，栅电极堆叠为沿着与基底的上表面基本垂直的第一方向彼此间隔开，并且每个栅电极在与基底的上表面基本平行的第二方向上延伸；

沟道，在基底的单元区上沿第一方向延伸，并且延伸穿过栅电极结构的至少一部分；以及

第一模制件，包括在基底的模制件区上沿着第一方向交替地且重复地堆叠的第一层和第二层，第一层和第二层包括彼此不同的绝缘材料，并且第一模制件的每个第一层与栅电极结构的栅电极中的对应的栅电极位于相同的高度处且接触。

2.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中：

贯穿通孔区位于单元区的在第二方向上的两个相对侧中的每个上，并且

模制件区围绕贯穿通孔区的在与基底的上表面基本平行且与第二方向相交的第三方向上的相对侧，并且围绕贯穿通孔区的在第二方向上的至少一侧。

3.根据权利要求2所述的垂直存储器装置，其中，第一模制件位于模制件区的在单元区的在第三方向上的两个相对侧中的每个上的部分上。

4.根据权利要求2所述的垂直存储器装置，其中，第一模制件位于模制件区的在单元区的在第三方向上的两个相对侧中的一个上的部分上。

5.根据权利要求2所述的垂直存储器装置，其中，多个单元区沿着第二方向彼此间隔开，并且贯穿通孔区位于所述多个单元区中的每个的在第二方向上的两个相对侧中的每个上。

6.根据权利要求5所述的垂直存储器装置，其中，第一模制件位于模制件区的在所述多个单元区之中的第一单元区的在第三方向上的两个相对侧中的每个上的部分上，并且位于模制件区的在所述多个单元区之中的第二单元区的在第三方向上的一侧上的部分上。

7.根据权利要求5所述的垂直存储器装置，其中，第一模制件位于模制件区的在所述多个单元区之中的第一单元区的在第三方向上的两侧中的至少一侧上的部分上，并且不位于模制件区的在所述多个单元区之中的第二单元区的在第三方向上的两侧上的部分上。

8.根据权利要求2所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括位于基底的单元区的在第三方向上的中间部分上的第二模制件，第二模制件包括沿着第一方向交替地且重复地堆叠的第一图案和第二图案，并且第一图案和第二图案分别与第一层和第二层包括基本相同的材料。

9.根据权利要求8所述的垂直存储器装置，其中，第二模制件呈具有阶梯台阶层的阶梯形状，一个第一图案和一个第二图案顺序地堆叠在一起作为阶梯台阶层中的一个阶梯台阶层，并且第二模制件的阶梯形状面向贯穿通孔区。

10.根据权利要求2所述的垂直存储器装置，其中，多个栅电极结构沿着第三方向彼此间隔开，所述多个栅电极结构中的位于第三方向上的一端处的栅电极结构与第一模制件接触。

11.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，栅电极结构呈具有阶梯台阶层的阶梯形状，每个栅电极是阶梯台阶层中的一个阶梯台阶层，并且栅电极结构的阶梯形状面向贯穿通孔区。

12.根据权利要求11所述的垂直存储器装置，其中，第一模制件呈具有阶梯台阶层的阶梯形状，一个第一层和一个第二层顺序地堆叠在一起作为阶梯台阶层中的一个阶梯台阶层，并且第一模制件的阶梯形状面向贯穿通孔区。

13.根据权利要求12所述的垂直存储器装置，其中，包括在第一模制件中的每个阶梯台阶层中的第一层与栅电极结构的阶梯台阶层中的对应的阶梯台阶层位于相同的高度层级处。