[发明专利]垂直存储器装置

说明书

提供了一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：基底，具有单元区、位于单元区的相对侧上的贯穿通孔区以及围绕单元区和贯穿通孔区的模制件区；栅电极，沿着与基底的上表面垂直的第一方向彼此间隔开，并且在与基底的上表面平行的第二方向上延伸；沟道，在单元区上沿第一方向延伸，并且延伸穿过堆叠的栅电极的至少一部分；以及第一模制件，包括在模制件区上沿着第一方向交替地且重复地堆叠的第一层和第二层，第一层和第二层包括彼此不同的绝缘材料，并且第一模制件的每个第二层与栅电极中的对应的栅电极位于相同的高度处且接触。

于2019年8月7日在韩国知识产权局提交的名称为“垂直存储器装置和制造垂直存储器装置的方法”的第10-2019-0095919号韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

实施例涉及垂直存储器装置和制造垂直存储器装置的方法。

背景技术

在制造VNAND闪存装置的方法中，可以在包括芯片区和划线(S/L)区的基底上交替地且重复地堆叠绝缘层和牺牲层以形成模制层，并且可以执行蚀刻工艺以使模制层图案化为阶梯形状。随着蚀刻工艺被执行，可以去除模制层的形成在S/L区上的部分，并且可以形成绝缘中间层以填充模制层的去除部分。可以增加模制层的层级的数量，并且还可以与其对应地增加绝缘中间层的厚度。

发明内容

根据示例实施例，提供了一种垂直存储器装置。所述垂直存储器装置可以包括：基底，包括单元区、形成在单元区的两侧中的每侧上的贯穿通孔区以及围绕单元区和贯穿通孔区的模制件区；栅电极结构，包括栅电极，栅电极沿着与基底的上表面基本垂直的第一方向堆叠为彼此间隔开，每个栅电极在与基底的上表面基本平行的第二方向上延伸；沟道，在基底的单元区上沿第一方向延伸，并且延伸穿过栅电极结构的至少一部分；以及第一模制件，包括在基底的模制件区上沿着第一方向交替地且重复地堆叠的第一层和第二层，第一层和第二层包括彼此不同的绝缘材料。第一模制件的每个第一层可以与栅电极结构的栅电极中的对应的栅电极形成在相同的高度处且接触。

根据示例实施例，提供了一种垂直存储器装置。所述垂直存储器装置可以包括：栅电极结构，包括沿着与基底的上表面基本垂直的第一方向在基底上堆叠为彼此间隔开的栅电极，每个栅电极在与基底的上表面基本平行的第二方向上延伸，栅电极结构在与基底的上表面基本平行且与第二方向相交的第三方向上彼此间隔开；沟道，在基底上沿第一方向延伸，并且延伸穿过栅电极结构的至少一部分；以及第一模制件，包括在基底上沿着第一方向交替地且重复地堆叠的第一层和第二层，并且与形成在第三方向上的两端处的栅电极结构中的至少一个接触。每个栅电极结构可以具有阶梯形状，每个栅电极作为每个阶梯台阶层，并且第一模制件的与栅电极结构相对的部分可以具有阶梯形状，一个第一层和一个第二层顺序地堆叠在一起作为每个阶梯台阶层。包括在第一模制件的每个阶梯台阶层中的第一层和栅电极结构的阶梯台阶层中的与其对应的阶梯台阶层可以形成在彼此相同的高度处。

根据示例实施例，提供了一种垂直存储器装置。所述垂直存储器装置可以包括：电路图案，位于基底上；基体图案，位于电路图案上；栅电极结构，包括沿着与基底的上表面基本垂直的第一方向在基体图案上堆叠为彼此间隔开的栅电极，每个栅电极在与基底的上表面基本平行的第二方向上延伸，栅电极结构在与基底的上表面基本平行且与第二方向相交的第三方向上彼此间隔开；沟道，在基体图案上沿第一方向延伸，并且延伸穿过栅电极结构的至少一部分；电荷存储结构，位于每个沟道的外侧壁上；共源极图案(CSP)，形成在在第三方向上彼此相邻的栅电极结构之间，每个CSP在第二方向上延伸；第一模制件，包括在基体图案上沿着第一方向交替地且重复地堆叠的第一层和第二层，并且与形成在第三方向上的两端处的栅电极结构中的至少一个的侧壁接触；第二模制件，形成在栅电极结构之中的形成在第三方向上的中心部分上的相邻的栅电极结构之间，在第二方向上延伸，并且包括沿着第一方向交替地且重复地堆叠的第一图案和第二图案，第一图案和第二图案分别与第一层和第二层包括基本相同的材料；以及贯穿通孔，在栅电极结构与第一模制件之间沿第一方向延伸，并且电连接到电路图案。