[发明专利]原位生成氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷及其制备方法在审
申请号: | 202010515748.0 | 申请日: | 2020-06-09 |
公开(公告)号: | CN111704465A | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 余超;郑永翔;邓承继;丁军;祝洪喜;吴欣欣 | 申请(专利权)人: | 武汉科技大学 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B35/581;C04B35/622 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 张火春 |
地址: | 430081 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 原位 生成 氮化 碳化硅 固溶体 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种原位生成氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷的制备方法,其特征在于:
步骤一、按照Al4SiC4粉末∶粘结剂的质量比为100∶2~5,将所述Al4SiC4粉末和所述粘结剂混合,即得混合料;
所述Al4SiC4粉末的纯度≥98.0wt%,Al4SiC4粉末的粒度≤150μm;
步骤二、将所述混合料在5~50MP条件下预压成型,再于100~300MPa条件下等静压成型,然后置于恒温干燥箱中,在110℃条件下烘干1~5h,得到预制坯体;
步骤三、将所述预制坯体装入石墨坩埚内,然后将所述石墨坩埚置于热压炉内,在≤0.1mbar条件下以5~10℃/min的速率从室温加热至1100~1200℃,保温条件下充N2至2~10MPa,在保压条件下以1~5℃/min的速率再加热至1900~2200℃,保压保温2~5h,自然冷却至室温,即得原位生成氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷。
2.根据权利要求1所述的原位生成氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷的制备方法,其特征在于所述粘结剂为酚醛树脂、环氧树脂、丙烯酸、硅溶胶和磷酸二氢铝中的一种以上。
3.根据权利要求1所述的原位生成氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷的制备方法,其特征在于所述氮气的纯度为≥98.5%。
4.一种原位生成氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷,其特征在于原位生成氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷是根据权利要求1~3中任一项所述原位生成氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷的制备方法所制备的原位生成氮化铝-碳化硅固溶体复相陶瓷。
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