[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包含：

衬底，其具有衬底顶部侧、衬底横向侧和衬底底部侧；

电子装置，其在所述衬底顶部侧上；以及

密封剂，其在所述衬底顶部侧上并且接触所述电子装置的横向表面；

其中所述衬底包含导电结构和介电结构，所述介电结构包含与所述密封剂接触的突出部；

其中所述导电结构包含引线，所述引线包含引线侧翼，所述引线侧翼包含空腔和在所述空腔中的所述引线侧翼的表面上的导电涂层；且

其中所述导电结构包含在所述衬底顶部侧处暴露的焊盘，所述焊盘嵌入在所述介电结构中并且与所述突出部相邻，以经由第一内部互连件与所述电子装置电耦合。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述导电结构包含桨型垫；且

第二内部互连件从所述电子装置的底部侧延伸并且耦合到所述桨型垫。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述介电结构包含从所述衬底底部侧延伸到所述衬底顶部侧的介电层。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述引线侧翼的所述空腔是凹坑形状的。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述衬底包含：

垂直于所述衬底横向侧的衬底第一内侧；以及

垂直于所述衬底底部侧的衬底第二内侧；

所述衬底第一内侧包含所述介电结构的第一内表面和所述导电涂层的第一涂层表面；

所述衬底第二内侧包含所述介电结构的第二内表面和所述导电涂层的第二涂层表面；且

所述衬底第一内侧垂直于所述衬底第二内侧。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述突出部界定所述焊盘的横向表面并且延伸到所述密封剂中。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述引线侧翼经由填充所述空腔的焊料电耦合到外部装置的电路图案，所述引线侧翼覆盖所述引线的大部分高度并且经由视觉检查可见。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述介电结构包含第一模制材料层；且

所述密封剂包含与所述第一材料层接触的第二模制材料层。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述空腔包含：

所述引线的第一引线表面；

所述引线的第二引线表面，其垂直于所述第一引线表面；

所述介电结构的第一侧柱表面，其垂直于所述第一引线表面和所述第二引线表面；以及

所述介电结构的第二侧柱表面，其垂直于所述第一引线表面和所述第二引线表面，并且横跨所述空腔与所述第一侧柱表面相对。

10.一种制造半导体装置的方法，其包含：

在载体上形成导电层；

在所述导电层的顶部表面上形成焊盘和引线；

在所述导电层的所述顶部表面上形成介电结构，其中所述介电结构覆盖所述焊盘和所述引线；

薄化所述介电结构直到所述引线暴露；

蚀刻所述引线，使得所述引线的表面相对于所述介电结构的表面凹陷；

在与所述介电结构相邻的所述引线中形成空腔；

在所述引线上，包括在所述空腔中的所述引线的表面上，形成电镀层，以在所述空腔中形成对应于电镀引线的可湿润侧翼；以及

去除所述载体并且蚀刻所述导电层，使得所述介电结构的突出部突出超过所述焊盘的底部表面。

11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包含：

将电子装置放置在所述导电层的底部表面上以将所述电子装置电耦合到桨型垫或所述焊盘；以及

在所述电子装置上形成密封剂，其中所述密封剂接触所述电子装置的横向表面，并且所述介电结构的所述突出部延伸到膜制化合物中。

12.根据权利要求10所述的方法，其中前述形成所述焊盘包含在所述导电层上执行图案电镀。