[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法

说明书

半导体装置及制造半导体装置的方法。一种半导体装置，其包含：衬底，其具有衬底顶部侧、衬底横向侧和衬底底部侧；在所述衬底顶部侧上的电子装置；以及在所述衬底顶部侧上的密封剂，其接触所述电子装置的横向表面。所述衬底包含导电结构和介电结构，所述介电结构包含与所述密封剂接触的突出部。所述导电结构包含引线，所述引线包含引线侧翼，所述引线侧翼包含空腔和在所述空腔中的所述引线的表面上的导电涂层。所述导电结构包含在所述衬底顶部侧处暴露的焊盘，所述焊盘嵌入在所述介电结构中并且与所述突出部相邻，以经由第一内部互连件与所述电子装置电耦合。本文还公开了其它实例和相关方法。

技术领域

本公开总体上涉及电子装置，并且更具体地涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。

背景技术

现有的半导体装置和用于形成半导体装置的方法不够充分，例如导致成本过高、可靠性降低、性能相对较低或装置尺寸过大。通过将常规方法和传统方法与本公开进行比较并且参考附图，本领域技术人员将将明了常规方法和传统方法的进一步的限制和缺点。

发明内容

本揭露的各种态样提供一种半导体装置，其包含：衬底，其具有衬底顶部侧、衬底横向侧和衬底底部侧；电子装置，其在所述衬底顶部侧上；以及密封剂，其在所述衬底顶部侧上并且接触所述电子装置的横向表面；其中所述衬底包含导电结构和介电结构，所述介电结构包含与所述密封剂接触的突出部；其中所述导电结构包含引线，所述引线包含引线侧翼，所述引线侧翼包含空腔和在所述空腔中的所述引线侧翼的表面上的导电涂层；且其中所述导电结构包含在所述衬底顶部侧处暴露的焊盘，所述焊盘嵌入在所述介电结构中并且与所述突出部相邻，以经由第一内部互连件与所述电子装置电耦合。在所述半导体装置中，所述导电结构包含桨型垫；且第二内部互连件从所述电子装置的底部侧延伸并且耦合到所述桨型垫。在所述半导体装置中，所述介电结构包含从所述衬底底部侧延伸到所述衬底顶部侧的介电层。在所述半导体装置中，所述引线侧翼的所述空腔是凹坑形状的。在所述半导体装置中，所述衬底包含：垂直于所述衬底横向侧的衬底第一内侧；以及垂直于所述衬底底部侧的衬底第二内侧；所述衬底第一内侧包含所述介电结构的第一内表面和所述导电涂层的第一涂层表面；所述衬底第二内侧包含所述介电结构的第二内表面和所述导电涂层的第二涂层表面；且所述衬底第一内侧垂直于所述衬底第二内侧。在所述半导体装置中，所述突出部界定所述焊盘的横向表面并且延伸到所述密封剂中。在所述半导体装置中，所述引线侧翼经由填充所述空腔的焊料电耦合到外部装置的电路图案，所述引线侧翼覆盖所述引线的大部分高度并且经由视觉检查可见。在所述半导体装置中，所述介电结构包含第一模制材料层；且所述密封剂包含与所述第一材料层接触的第二模制材料层。在所述半导体装置中，所述空腔包含：所述引线的第一引线表面；所述引线的第二引线表面，其垂直于所述第一引线表面；所述介电结构的第一侧柱表面，其垂直于所述第一引线表面和所述第二引线表面；以及所述介电结构的第二侧柱表面，其垂直于所述第一引线表面和所述第二引线表面，并且横跨所述空腔与所述第一侧柱表面相对。