[发明专利]用于高纯碳化硅粉料的一种预制料处理方法有效

专利信息
申请号: 202010517169.X 申请日: 2020-06-09
公开(公告)号: CN112010311B 公开(公告)日: 2022-11-01
发明(设计)人: 韦玉平;程章勇;张云伟;陈颖超;杨丽雯;靳丽婕;何丽娟;李百泉;李天运;王丽君 申请(专利权)人: 北京世纪金光半导体有限公司
主分类号: C01B32/984 分类号: C01B32/984
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地址: 100176 北京市大*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 用于 高纯 碳化硅 一种 预制 处理 方法
【权利要求书】:

1.用于碳化硅粉料合成的一种预制料处理方法,其特征在于,所述方法包括以下工序:S1配料工序:采用高纯Si粉和高纯C粉颗粒源作为原料,或其中添加少量钽粉或聚四氟乙烯;S2料块预备:选取纯度不低于硅源和碳源的碳化硅晶锭,按一定尺寸进行加工、打磨成块;S3装配工序:对装配室进行抽气充气处理,取数个碳化硅晶锭切割块置于混料罐底部,依次加入硅源、碳源、粉状添加剂,密封混料罐,对装配室进行抽气充气处理,使混料罐扩散进入填装气体;S4 混料工序:按投料量设定球磨转速、运转方式、定时时间进行混料;S5取料工序:将混料依次取出装于密封袋,同时取出其中切割块,核对切割块数量;S6保存工序:将混料和切割块分别密封保存,分别用于碳化硅粉料合成取用和再次混料。

2.根据权利要求1所述的用于碳化硅粉料合成的一种预制料处理方法,其特征在于,S2所述料块预备工序中切割块长度低于混料罐长度的1/10,宽度及高度低于混料罐直径的1/10,打磨切割块棱角,使倒角不低于1mm,选择尺寸为15mm×15mm×40mm、15mm×15mm×15mm。

3.根据权利要求1所述的用于碳化硅粉料合成的一种预制料处理方法,其特征在于,S3所选填充气体为乙醇、氮气、氩气、氢气。

4.根据权利要求1所述的用于碳化硅粉料合成的一种预制料处理方法,其特征在于,S5所述取料工序工具材质为聚四氟乙烯、聚乙烯;取料同时取出碳化硅切割块并核对数目,确保与混料前投入切割块数量一致。

5.根据权利要求1所述的用于碳化硅粉料合成的一种预制料处理方法,其特征在于,S6所述保存工序中切割块表面所粘碳粉硅粉较多时,通过超声清洗、烘干后保存。

6.根据权利要求1所述的用于碳化硅粉料合成的一种预制料处理方法,其特征在于,已混合原料在静置一段时间出现沉降后,重复S1-S6中全部或部分工序,获取均匀混料。

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