[发明专利]显示装置及显示装置的制备方法

说明书

本发明公开了一种显示装置及显示装置的制备方法，所述显示装置包括：衬底基板；功能层，设置于所述衬底基板上，所述功能层还包括一开孔区，所述开孔区的内壁面开设有至少一条沟槽；及金属走线，沿着所述开孔区的所述内壁面延伸，且至少部分所述金属走线贴设于所述沟槽内壁面上。相较于现有的显示装置，本发明通过在所述显示装置内增加至少一条沟槽，以容置金属走线，使得所述金属走线在坡面上产生的残留物因存在高度差而落入所述沟槽内，所述残留物不在开孔区内堆积，避免了相邻的所述金属走线相互连通发生短路。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示装置及显示装置的制备方法。

背景技术

在有机电致发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)显示技术的阵列(Array)工艺流程中，为简化生产流程，其中最重要的就是减小光罩数量，从而有效降低开模成本以及运营成本。在Array工艺中通常会使用合并有机填充层(organic deep hole，ODH)和平坦层(planarization，PLN)技术(merge ODHPLN，MOP)，两道光罩合并为一道光罩。

如图1所示，图1为现有技术中一种显示装置的结构示意图。所述显示装置包括：衬底基板10，功能层20(水氧阻隔层201、缓冲层202、有源层203、第一栅极绝缘层204、第一栅极层205、第二栅极绝缘层206、第二栅极层207、层间电介质层208及源漏极层209)金属走线30、平坦层40、像素电极50、像素定义层60以及间隔柱70)。在常规的非MOP制程中，在进行深孔(deep hole， DH)加工制程以后，先进行有机填充制程将所述深孔内填平，然后进行制备源漏极(source drain，SD)的所述金属走线30。因为有机填充制程将深孔填平后，所述金属走线30在所述平坦区40上，残留风险较小。

而通常的MOP技术实现如下：将有机填充制程省去，先进行制备所述金属走线30的制程，然后用所述平坦层40将所述深孔填平以及可操作(Active Area，AA)区平坦化。但是，在MOP制程中，所述深孔区域的所述金属走线 30由原来的平坦区，变成需要跨越下层较大的坡面，这会导致在坡面处极易产生残留，使得所述金属走线30之间产生短路。

综上所述，目前的显示装置中存在金属走线在跨越下层较大坡面时极易产生残留，发生短路的技术问题。

发明内容

本发明实施例提供一种显示装置及显示装置的制备方法，用于解决目前的显示装置中存在金属走线在跨越下层较大坡面时极易产生残留，发生短路的技术问题。

为解决上述问题，第一方面，本发明提供一种显示装置，包括：

衬底基板；

功能层，设置于所述衬底基板上，所述功能层还包括一开孔区，所述开孔区的内壁面开设有至少一条沟槽；及

金属走线，沿着所述开孔区的所述内壁面延伸，且至少部分所述金属走线贴设于所述沟槽内壁面上。

在本发明的一些实施例中，所述沟槽的深度大于所述金属走线的高度，所述沟槽的宽度大于所述金属走线的宽度。

在本发明的一些实施例中，所述沟槽包括至少一个第一平台段和连接所述第一平台段的第一坡面段。

在本发明的一些实施例中，所述开孔区的内壁面包括底面和侧壁面，所述第一平台段开设于所述开孔区的底面，所述第一坡面段开设于所述开孔区的侧壁面上。

在本发明的一些实施例中，所述第一平台段与所述第一坡面段形成的坡角为第一坡角，所述底面与所述侧壁面形成第二坡角，所述第一坡角与所述第二坡角相等。

在本发明的一些实施例中，当所述开孔区的侧壁面包括至少一个第二平台段和连接所述第二平台段与所述底面的第二坡面段时，所述沟槽覆盖所述第二坡面段且不超出所述第二平台段。