[发明专利]一种投影式远端掩模板光刻方法及其设备

说明书

本发明涉及一种投影式远端掩模板光刻方法及其设备，包括以下步骤：步骤1：首先紫外光和指引光分别通过第一准直透镜组和第二准直透镜组进行准直处理；步骤2：在步骤1的光进入二向色镜进行合束，通过聚焦透镜组射入匀光模组的入射端面；步骤3：通过第三准直透镜组；步骤4：步骤3中的准直光通过反射镜反射至第一分光片，并反射至远端掩模板上；步骤5：步骤4中反射的光将带有远端掩模板上的信息，与第二分光片和照明光进行合束处理；步骤6：步骤5中将合束的带有信息的光通过第三分光片，光束打至样品上，照射出远端掩模板上的信息，实现信息的转移；步骤7：最后通过相机对样品进行实时成像观测。本发明不会污染掩模板且成本更低。

技术领域

本发明属于光刻机技术领域，尤其涉及一种投影式远端掩模板光刻方法及其设备。

背景技术

光刻机技术在微纳加工和当代集成电路领域是一种不可或缺的技术，常见的光刻机技术包含接触式、接近式和投影式。接触式需要将掩模板和光刻胶紧密接触，掩模板会受到一定程度的污染，这就导致随着使用次数的增加导致器件边缘越来越模糊。接近式是指在掩模板与光刻胶之间通入氮气，产生几微米到几十微米的间隙，这有效避免了光刻胶与掩模板之间的接触，提高了掩模板的使用寿命，但是间隙的存在对于工艺水平也提出了要求。投影式则能够避免接触式存在污染掩模板的问题，同时由于其远离光刻胶，不需要间隙，对于掩模板的更换也是更加的简单。常见的有激光直写和DMD投影两种方式，但是这两种方式的成本相对较高。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种投影式远端掩模板光刻方法及其设备。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种投影式远端掩模板光刻方法，包括以下步骤：

步骤1：首先紫外光和指引光分别通过第一准直透镜组和第二准直透镜组进行准直处理；

步骤2：在步骤1中的紫外光和指引光进行准直后，进入二向色镜进行合束，然后再通过聚焦透镜组射入匀光模组的入射端面；

步骤3：通过匀光模组后的光线再次通过第三准直透镜组，将其变成均匀的准直光；

步骤4：步骤3中的准直光通过反射镜反射至第一分光片，并由第一分光片将一部分分光反射至远端掩模板上；

步骤5：步骤4中反射的光将带有远端掩模板上的信息，与第二分光片和照明光进行合束处理；

步骤6：步骤5中将合束的带有信息的光通过第三分光片，光束打至样品上，照射出远端掩模板上的信息，实现信息的转移；

步骤7：最后通过相机对样品进行实时成像观测。

优选地，所述的一种投影式远端掩模板光刻方法，所述步骤5的信息是指远端掩模板上的图形和/或文字。

优选地，所述的一种投影式远端掩模板光刻方法，所述步骤6中的样品上信息与步骤5中的信息相一致。

优选地，所述的一种投影式远端掩模板光刻方法，所述照明光使用的是3000K色温的LED。

一种投影式远端掩模板光刻设备，包括第一准直透镜组和第二准直透镜组，所述第一准直透镜组和第二准直透镜组分设在二向色镜的前端和后端，所述二向色镜的前端设有聚焦透镜组，所述聚焦透镜组的前端设置有匀光模组，所述匀光模组的前端设置有第三准直透镜组，所述第三准直透镜组的前端设置有反射镜，所述反射镜的前端设置有第一分光片，所述第一分光片的后端设置有远端掩模板，所述第一分光片的前端设置有第二分光片，所述第二分光片的前端设置有第三分光片，所述第三分光片的输出至样品。

优选地，所述的一种投影式远端掩模板光刻设备，所述第一准直透镜组外接有紫外光。

优选地，所述的一种投影式远端掩模板光刻设备，所述第二准直透镜组外接有指引光。