[发明专利]控制器、存储器系统及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器系统，包括：

至少一个非易失性存储器装置；以及

控制器，控制所述至少一个非易失性存储器装置，

其中所述至少一个非易失性存储器装置包括至少一个超级块，所述至少一个超级块包括多个支持通路交错的存储块，其中所述多个支持通路交错的存储块中的存储器单元中的每一个以第一模式操作以存储N位数据，

所述控制器通过利用不支持通路交错的备用块来替换所述至少一个超级块中的所述多个支持通路交错的存储块之中的至少一个坏块来生成经修改超级块，并且将所述不支持通路交错的备用块中的存储器单元中的每一个设置成以第二模式操作以存储M位数据，其中N是2或更大的自然数，并且M是小于N的自然数。

2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述超级块中的所述多个支持通路交错的存储块包括在相同的非易失性存储器装置中。

3.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述超级块中的所述多个支持通路交错的存储块分别包括在不同的非易失性存储器装置中。

4.根据权利要求1所述的存储器系统，其中当在所述至少一个非易失性存储器装置中不存在支持通路交错的备用块时，所述控制器生成所述经修改超级块。

5.根据权利要求1所述的存储器系统，其中具有被设置成以所述第二模式操作的存储器单元的所述不支持通路交错的备用块存储的数据的大小是待存储在具有以所述第一模式操作的存储器单元的所述支持通路交错的存储块中的数据的大小的N/M倍。

6.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述控制器将设置操作模式的信息存储在所述经修改超级块中的存储块的标志中。

7.根据权利要求6所述的存储器系统，其中所述控制器控制所述非易失性存储器装置，使得在执行从主机接收的命令时，所述经修改超级块中的存储块基于所述标志以所述第一模式或所述第二模式进行操作。

8.根据权利要求1所述的存储器系统，

其中在所述第一模式下，所述多个支持通路交错的存储块中的存储器单元中的每一个作为多层单元即MLC、三层单元即TLC和四层单元即QLC中的任意一个来操作，并且

其中在所述第二模式下，所述不支持通路交错的备用块中的存储器单元中的每一个作为单层单元即SLC、MLC和TLC中的任意一个来操作。

9.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述超级块中的所述多个支持通路交错的存储块分别包括在不同的平面中，并且被同时访问。

10.一种操作存储器系统的方法，所述存储器系统包括至少一个非易失性存储器装置和控制器，所述控制器控制所述至少一个非易失性存储器装置，所述方法包括：

由所述控制器检测至少一个超级块中的至少一个坏块，所述至少一个超级块包括多个支持通路交错的存储块；

由所述控制器通过利用不支持通路交错的备用块替换所述至少一个坏块，来生成经修改超级块；以及

将所述支持通路交错的存储块中的存储器单元中的每一个设置成以第一模式操作以存储N位数据，并且将所述不支持通路交错的备用块中的存储器单元中的每一个设置成以第二模式操作以存储M位数据，其中N是2或更大的自然数，并且M是小于N的自然数。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述超级块中的所述多个支持通路交错的存储块包括在相同的非易失性存储器装置中。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述超级块中的所述多个支持通路交错的存储块分别包括在不同的非易失性存储器装置中。

13.根据权利要求10所述的方法，其中生成所述经修改超级块包括：当所述至少一个非易失性存储器装置中不存在支持通路交错的备用块时，生成所述经修改超级块。