[发明专利]控制器、存储器系统及其操作方法在审
申请号: | 202010519114.2 | 申请日: | 2020-06-09 |
公开(公告)号: | CN112286443A | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 朴振;罗炯柱 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F11/20;G11C29/00 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 赵永莉;太香花 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 控制器 存储器 系统 及其 操作方法 | ||
本申请公开了一种控制器、存储器系统及其操作方法。该存储器系统包括至少一个非易失性存储器装置和被配置成控制该非易失性存储器装置的控制器。该至少一个非易失性存储器装置包括超级块,该至少一个超级块包括多个支持通路交错的存储块,并且该多个支持通路交错的存储块中包括的存储器单元中的每一个以第一模式操作以存储N位数据(其中N是2或更大的自然数)。控制器通过利用不支持通路交错的备用块替换超级块中包括的多个支持通路交错的存储块之中的至少一个坏块来生成经修改超级块,并且将不支持通路交错的备用块中包括的存储器单元中的每一个设置成以第二模式操作以存储M位数据(其中M是小于N的自然数)。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年7月25日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2019-0090309的韩国专利申请的优先权,其通过引用整体并入本文。
技术领域
各个实施例总体涉及一种半导体装置,且更特别地,涉及一种控制器、包括该控制器的存储器系统及其操作方法。
背景技术
近年来,计算机环境的范例改变成可在任何时间和任何地点使用计算机系统的普适计算。因此,诸如移动电话、数码相机和膝上型计算机的便携式电子设备的使用已经迅速增加。通常,便携式电子设备使用采用存储器装置的存储器系统。存储器系统可用于存储在便携式电子设备中使用的数据。
使用存储器装置的存储器系统不具有机械驱动单元,并且展现出良好的稳定性和耐用性、快信息访问速度以及低功耗。这种存储器系统包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡、通用闪存(UFS)装置、固态驱动器(SSD)等。
发明内容
实施例提供了一种能够提高存储器系统的性能的坏块管理技术。
在本公开的实施例中,一种存储器系统可包括:至少一个非易失性存储器装置;以及控制器,被配置成控制至少一个非易失性存储器装置。至少一个非易失性存储器装置可包括至少一个超级块,该超级块包括多个支持通路交错(way-interleaving-capable)的存储块,其中多个支持通路交错的存储块中的存储器单元中的每一个以第一模式操作以存储N位数据。控制器可通过利用不支持通路交错的备用块来替换至少一个超级块中的多个支持通路交错的存储块之中的至少一个坏块来生成经修改超级块,并且将不支持通路交错的备用块中的存储器单元中的每一个设置成以第二模式操作以存储M位数据,其中N是2或更大的自然数,并且M是小于N的自然数。
在本公开的实施例中,一种操作存储器系统的方法,该存储器系统包括至少一个非易失性存储器装置和被配置成控制该至少一个非易失性存储器装置的控制器,该方法可包括:由控制器检测至少一个超级块中的至少一个坏块,该至少一个超级块包括多个支持通路交错的存储块;由控制器通过利用不支持通路交错的备用块替换该至少一个坏块,来生成经修改超级块;以及将支持通路交错的存储块中的存储器单元中的每一个设置成以第一模式操作以存储N位数据,并且将不支持通路交错的备用块中的存储器单元中的每一个设置成以第二模式操作以存储M位数据,其中N是2或更大的自然数,并且M是小于N的自然数。
在本公开的实施例中,一种操作控制器的方法,该控制器控制非易失性存储器装置,该方法可包括:生成包括支持通路交错的存储块和至少一个不支持通路交错的存储块的经修改超级块;将支持通路交错的存储块中的存储器单元设置成存储N位数据;并且将至少一个不支持通路交错的存储块中的存储器单元设置成存储M位数据,其中N是2或更大的自然数,并且M是小于N的自然数。
根据本公开的实施例,通过有效的坏块管理可提高存储器系统的性能。
下面更详细地描述这些和其它特征、方面和实施例。
附图说明
从以下结合附图的详细描述中将更清楚地理解本公开的主题的上述和其它方面、特征和优点,其中:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010519114.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。