[发明专利]一种纳米多孔石墨烯的制备方法

权利要求书

1.一种纳米多孔石墨烯材料的制备方法，包括如下步骤：

一、纳米多孔泡沫镍的制备

A、对泡沫镍基底进行酸洗处理，去除表面氧化膜，然后用去离子水冲洗至中性并干燥备用；

B、将步骤A得到的泡沫镍基底放入含有尿素溶液的反应釜中进行水热反应，水热反应的温度为120-140°C，时间为1-3小时，然后取出泡沫镍基底，洗涤、干燥，得到表面为纳米多孔结构的泡沫镍基底；

C、表面还原，将步骤B中得到的泡沫镍基底置于还原性气氛中进行表面还原，将水热反应后再泡沫镍表面生成的氧化镍、氢氧化镍、碱式碳酸镍等镍氧化物还原成镍单质，得到纳米多孔泡沫镍基底，用作生长纳米多孔石墨烯的基底；

二、纳米多孔石墨烯的生长

D、采用化学气相沉积法在步骤C中制得的纳米多孔泡沫镍基底表面沉积石墨烯，得到纳米多孔石墨烯；沉积时间为5-15min；

三、纳米多孔泡沫镍基底的去除

E，将步骤D中生长有纳米多孔石墨烯的纳米多孔泡沫镍基底置于蚀刻液中，将纳米多孔泡沫镍基底蚀刻去除，得到单独的纳米多孔石墨烯。

2.如权利要求1所述的一种纳米多孔石墨烯材料的制备方法，其特征在于：其中，还原性气氛包括氢气。

3.如权利要求1所述的一种纳米多孔石墨烯材料的制备方法，其特征在于：步骤D中生长的纳米多孔石墨烯为还原石墨烯或氮掺杂石墨烯。

4.如权利要求3所述的一种纳米多孔石墨烯材料的制备方法，其特征在于：步骤D中的化学气相沉积法中，预先将纳米多孔泡沫镍基底加热至生长温度，然后使用碳源或含氮碳源，在还原气氛中将其加热至100-400°C，以在基底表面沉积形成氮掺杂石墨烯。

5.如权利要求4所述的一种纳米多孔石墨烯材料的制备方法，其特征在于：生长温度为700-900°C。

6.如权利要求1所述的一种纳米多孔石墨烯材料的制备方法，其特征在于：步骤E的蚀刻液为盐酸或氯化铁溶液。

7.如权利要求1所述的一种纳米多孔石墨烯材料的制备方法，其特征在于：在步骤D和E之间执行一步骤F，步骤F为在纳米多孔石墨烯表面沉积PMMA薄层。

8.一种如权利要求1-7任一项所述的一种纳米多孔石墨烯材料的制备方法制备得到的纳米多孔石墨烯材料。