[发明专利]化学机械抛光装置及驱动其的方法

说明书

本申请涉及化学机械抛光(CMP)装置及驱动其的方法。化学机械抛光(CMP)装置可以包括：附接有晶片的抛光头；布置在抛光头下方的抛光垫；以及被配置为将浆料供应到抛光垫与晶片之间的空间的浆料供应器。浆料供应器可以包括在抛光垫的直径方向上布置的多喷射喷嘴。

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年12月24日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2019-0174301的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。

技术领域

各个实施例总体而言可以涉及一种用于制造半导体器件的装置及驱动其的方法，更具体地，涉及一种化学机械抛光(CMP)装置以及驱动CMP装置的方法。

背景技术

由于诸如存储器件的半导体器件可以具有高集成度和小尺寸的图案，因此可以使用利用CMP工艺的平坦化工艺以减少在晶片上产生的阶梯。CMP工艺可以用于使半导体器件的电结构之间的绝缘层平坦化或去除半导体器件的层。

CMP工艺可以使用可以附接有晶片的抛光头。抛光头可以被配置为压紧可以附接有抛光垫的压板。浆料喷嘴可以被配置成将浆料喷射到压板上的抛光垫。当抛光头可以被旋转时，抛光头上的晶片也可以与抛光头一起旋转。同时，压板也可以被旋转以在晶片上执行CMP工艺。

可以使用浆料来执行CMP工艺。因为可以利用压板被压紧来执行CMP工艺，所以浆料可以相对集中在晶片的边缘部分上。相反，可以将相对少量的浆料施加到晶片的中央部分。因此，可以在晶片的中央部分和边缘部分之间产生抛光厚度的差异。

发明内容

在本公开的示例性实施例中，一种化学机械抛光(CMP)装置可以包括压板、抛光头、浆料供应器和控制器。抛光垫可以附接到压板。压板可以被旋转。抛光头可以布置在抛光垫上方。晶片可以附接到抛光头的面向抛光垫的表面。浆料供应器可以被配置为将浆料供应到抛光垫与晶片之间的空间。控制器可以被配置为控制浆料的供应量。

在示例性实施例中，浆料供应器可以包括容器、多喷射喷嘴(multi-injectionnozzle)、压力传感器和流量控制阀。容器可以被配置为容纳所述浆料。容器可以包括被配置为输送浆料的流道。多喷射喷嘴可以连接到容器。多喷射喷嘴可以被配置为在抛光垫的直径方向上喷射浆料。压力传感器可以被配置为测量多喷射喷嘴的压力。流量控制阀可以与多喷射喷嘴连接，以根据控制器的信号独立地控制来自多喷射喷嘴的浆料的供给量。

根据示例性实施例，在抛光垫的直径方向上布置的多喷射喷嘴可以在CMP工艺中喷射浆料。因为可以从多喷射喷嘴喷射浆料，所以浆料可以均匀地分布在抛光垫上。

此外，压力传感器和流量控制阀可以被设置到多喷射喷嘴。因此，压力传感器可以实时检测多喷射喷嘴的堵塞。流量控制阀可以独立地控制浆料向抛光垫的供应量。

因此，可以将浆料均匀地供应到抛光垫。此外，可以减少由于浆料与抛光垫碰撞溢出到压板上而引起的浆料损失。

结果，晶片可以具有改善的平坦度。此外，可以减少浆料的损失量以降低CMP工艺的费用并改善环境污染。

附图说明

从下面结合附图的详细描述中，将更清楚地理解本公开的主题的上述方面和另一个方面、特征以及优点，其中：

图1是示出根据示例性实施例的CMP装置的立体图；

图2是示出图1中的浆料供应器的分解立体图；

图3是示出图2中的多喷射喷嘴主体的内部立体图；

图4是示出根据示例性实施例的多喷射喷嘴主体的流道的分解立体图；

图5是示出根据示例性实施例的多喷射喷嘴主体的立体图；

图6是沿图5中的线V-V′截取的截面图；以及