[发明专利]图像传感器封装件的电互连

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

半导体管芯，所述半导体管芯包括第一侧和第二侧；

有源区域，所述有源区域包括在所述管芯的所述第二侧上；

两个或更多个凸块，所述两个或更多个凸块耦接至所述管芯的第二侧上的两个或更多个管芯焊盘；

光学透射封盖，所述光学透射封盖通过粘合剂、所述两个或更多个凸块以及第一重新分布层RDL耦接至所述半导体管芯；以及

第二重新分布层RDL，所述第二重新分布层RDL与所述半导体管芯的所述第二侧上的第一RDL耦接并延伸至所述半导体管芯的所述第一侧；

其中所述第一RDL延伸至所述半导体管芯的边缘。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述半导体管芯的一个或多个侧壁与由所述半导体管芯的所述第一侧形成的平面成介于85度和60度之间的角度。

3.一种半导体封装件，包括：

半导体管芯，所述半导体管芯包括第一侧和第二侧；

有源区域，所述有源区域包括在所述管芯的所述第二侧上；

两个或更多个凸块，所述两个或更多个凸块在所述有源区域的任一侧上耦接至所述管芯的第二侧；

第一重新分布层RDL，所述第一重新分布层RDL耦接至所述两个或更多个凸块中的每一个凸块并延伸至所述半导体管芯的边缘；

光学透射封盖，所述光学透射封盖通过所述两个或更多个凸块和第一RDL耦接至所述半导体管芯；

第二重新分布层RDL，所述第二重新分布层RDL与所述半导体管芯的所述第二侧上的所述第一RDL耦接，所述第二RDL延伸至所述半导体管芯的所述第一侧。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中所述半导体管芯的一个或多个侧壁与由所述半导体管芯的所述第一侧形成的平面成介于85度和60度之间的角度。

5.一种形成半导体封装件的方法，所述方法包括：

提供包括第一侧和第二侧的光学透射衬底；

在所述光学透射衬底的第一侧上形成第一重新分布层RDL，该第一RDL包括在一条或多条划线上方，所述一条或多条划线包括在所述光学透射衬底的所述第一侧上；

提供半导体晶圆，所述半导体晶圆包括第一侧和第二侧，其中多个有源区域包括在所述半导体晶圆的第二侧上，并且两个或更多个管芯焊盘包括在所述多个有源区域中的每一个有源区域周围；

在两个或更多个管芯焊盘中的每一个管芯焊盘上形成两个或更多个内凸块以将所述半导体晶圆的第二侧耦接至所述光学透射衬底的第一侧，其中所述两个或更多个内凸块耦接在所述一条或多条划线的任一侧；

将所述半导体晶圆减薄至预定厚度；

将所述半导体晶圆蚀刻至所述一条或多条划线以形成多个半导体管芯；

切穿所述半导体管芯和金属层中的每一者以在覆盖玻璃上暴露第一RDL的一个或多个内部端子；

在所述多个半导体管芯中的每一个半导体管芯周围形成隔离层；

形成第二重新分布层RDL，该第二RDL从所述第一RDL的内部端子延伸至所述多个半导体管芯中的每一个半导体管芯的第一侧；

在所述半导体管芯中的每一个半导体管芯的第一侧上方形成钝化层；以及

切穿所述钝化层和所述光学透射衬底以形成多个半导体封装件。

6.根据权利要求5所述的方法，其中蚀刻包括使所述半导体晶圆的一个或多个侧壁成角度。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述半导体管芯的所述一个或多个侧壁与由所述半导体管芯的第一侧形成的平面成介于85度和60度之间的角度。

8.根据权利要求5所述的方法，还包括在第一重新分布层上形成一个或多个阻挡部。

9.根据权利要求5所述的方法，其中划线的宽度小于150微米。