[发明专利]图像传感器封装件的电互连

说明书

本公开涉及图像传感器封装件的电互连。半导体封装件的具体实施可包括：半导体管芯，该半导体管芯具有第一侧和第二侧；以及有源区域，该有源区域位于该管芯的该第二侧上。该半导体封装件还可包括两个或更多个凸块，该两个或更多个凸块耦接至该管芯的该第二侧上的两个或更多个管芯焊盘。该半导体封装件可包括光学透射封盖，该光学透射封盖通过粘合剂、两个或更多个凸块以及第一重新分布层(RDL)耦接至该半导体管芯。该半导体封装件可包括与该半导体管芯的该第二侧上的该第一RDL耦接的第二重新分布层(RDL)。该第二RDL可延伸至该半导体管芯的该第一侧。该第一RDL可延伸至该半导体管芯的边缘。

技术领域

本文档的各方面整体涉及半导体封装件，诸如用于相机、移动电话和类似设备中的图像传感器封装件。更具体的具体实施涉及图像传感器芯片尺寸封装件。

背景技术

半导体封装件有时具有穿硅通孔(TSV)，以在图像传感器封装件的前侧金属焊盘与背侧外部端子之间提供电互连。TSV的形成包括硅和电介质蚀刻、隔离平版印刷以及加工步骤期间的温度变化。

发明内容

半导体封装件的具体实施可包括：半导体管芯，该半导体管芯具有第一侧和第二侧；以及有源区域，该有源区域位于管芯的第二侧上。该半导体封装件还可包括两个或更多个凸块，该两个或更多个凸块耦接至管芯的第二侧上的两个或更多个管芯焊盘。半导体封装件可包括光学透射封盖，该光学透射封盖通过粘合剂、两个或更多个凸块以及第一重新分布层(RDL)耦接至半导体管芯。半导体封装件可包括与半导体管芯的第二侧上的第一RDL耦接的第二重新分布层(RDL)。第二RDL可延伸至半导体管芯的第一侧。第一RDL可延伸至半导体管芯的边缘。

半导体封装件的具体实施可包括以下中的一项、全部或任一项：

两个或更多个凸块的焊盘间距可基本上为60微米。

两个或更多个凸块可以是具有焊料尖端的铜柱。

两个或更多个凸块的焊盘间距可基本上为70微米。

两个或更多个凸块可包括焊料球。

半导体管芯的一个或多个侧壁可与由半导体管芯的第一侧形成的平面成介于85度和60度之间的角度。

半导体封装件的具体实施可包括：具有第一侧和第二侧的半导体管芯。该半导体封装件还可包括位于管芯的第二侧上的有源区域以及两个或更多个凸块，该两个或更多个凸块在有源区域的任一侧上耦接至管芯的第二侧。第一重新分布层(RDL)可耦接至两个或更多个凸块中的每一个凸块并且可延伸至半导体管芯的边缘。光学透射封盖可通过两个或更多个凸块和第一RDL耦接至半导体管芯。半导体封装件还可包括与半导体管芯的第二侧上的第一RDL耦接的第二重新分布层(RDL)。第二RDL可延伸至半导体管芯的第一侧。

半导体封装件的具体实施可包括以下中的一项、全部或任一项：

两个或更多个凸块可耦接至两个或更多个管芯焊盘。

两个或更多个凸块的焊盘间距可基本上为60微米。

两个或更多个凸块可以是具有焊料尖端的铜柱。

两个或更多个凸块的焊盘间距可基本上为70微米。

两个或更多个凸块可包括焊料球。

半导体管芯的一个或多个侧壁可与由半导体管芯的第一侧形成的平面成介于85度和60度之间的角度。