[发明专利]单向导通电路及应用其的开关电源

权利要求书

1.一种单向导通电路，应用于开关电源，供电电压通过所述单向导通电路给开关电源的驱动电路供电，其特征在于：所述单向导通电路包括两个开关管及其驱动电路，所述的两个开关管的体二极管反向串联；当单向导通电路的输出电压小于其输入电压或者开关电源的下管导通时，在所述的两个开关管的控制端分别给定驱动电压，以减小两个开关管的导通压降；

所述开关电源包括上管和下管，所述上管和下管相连，供电电压通过所述单向导通电路给所述上管的驱动电路供电。

2.根据权利要求1所述的单向导通电路，其特征在于：所述的两个开关管均为NMOS管，当单向导通电路的输出电压大于其输入电压或者开关电源的下管关断时，两个开关管的栅极连接所述单向导通电路的输入端；当单向导通电路的输出电压小于其输入电压或者开关电源的下管导通时，两个开关管的栅极驱动电压高于所述供电电压。

3.根据权利要求1所述的单向导通电路，其特征在于：所述的两个MOS管均为PMOS管，当单向导通电路的输出电压大于其输入电压或者开关电源的下管关断时，两个开关管的栅极连接所述单向导通电路的输出端；当单向导通电路的输出电压小于其输入电压或者开关电源的下管导通时，两个开关管的栅极驱动电压低于单向导通电路输出端电压。

4.根据权利要求1所述的单向导通电路，其特征在于：所述的两个MOS管中，一个为NMOS管，另一个为PMOS管；当单向导通电路的输出电压大于其输入电压或者开关电源的下管关断时，NMOS管栅极连接PMOS管源极，PMOS管栅极连接其漏极和NMOS管源极；PMOS管源极连接单向导通电路的输入端，NMOS管漏极连接单向导通电路的输出端。

5.根据权利要求1所述的单向导通电路，其特征在于：所述的NMOS管中，一个为NMOS管，另一个为PMOS管；当单向导通电路的输出电压大于其输入电压或者开关电源的下管关断时，NMOS管栅极连接其漏极和PMOS管源极，PMOS管栅极连接NMOS管源极；PMOS管漏极连接单向导通电路的输入端，NMOS源极连接单向导通电路的输出端。

6.根据权利要求2、4或5所述的单向导通电路，其特征在于：所述的两个MOS管的驱动电路包括电荷泵电路，当单向导通电路的输出电压小于其输入电压或者开关电源的下管导通时，所述电荷泵电路驱动NMOS管导通。

7.根据权利要求2或4所述的单向导通电路，其特征在于：所述的NMOS管的驱动电路包括第一电容，当单向导通电路的输出电压大于其输入电压或者开关电源的下管关断时，所述第一电容高电位端接收供电电压，其低电位端接收第一电压；当单向导通电路的输出电压小于其输入电压或者开关电源的下管导通时，所述第一电容低电位端接收供电电压，所述第一电容高电位端连接所述的NMOS管的栅极。

8.根据权利要求5所述的单向导通电路，其特征在于：所述的NMOS管的驱动电路包括第一电容，当单向导通电路的输出电压大于其输入电压或者开关电源的下管关断时，所述第一电容高电位端连接所述的两个MOS管的公共连接端，其低电位端接收第一电压；当单向导通电路的输出电压小于其输入电压或者开关电源的下管导通时，所述第一电容低电位端连接所述的两个MOS管的公共连接端，所述第一电容高电位端连接所述的NMOS管的栅极。

9.根据权利要求3或5所述的单向导通电路，其特征在于：所述的PMOS管的驱动电路包括第一驱动管和第二驱动管，所述第一驱动管第一端连接单向导通电路的输出端，所述第一驱动管的第二端连接所述第二驱动管的第一端，其公共连接端连接所述PMOS管的栅极，所述第二驱动管的第二端接收第二电压，所述第二电压小于单向导通电路的输出电压；当单向导通电路的输出电压大于其输入电压或者开关电源的下管关断时，控制所述第一驱动管导通和所述第二驱动管关断；当单向导通电路的输出电压小于其输入电压或者开关电源的下管导通时，控制所述第一驱动管关断和所述第二驱动管导通。