[发明专利]单向导通电路及应用其的开关电源

说明书

本发明提出一种单向导通电路，应用于开关电源，供电电压通过所述单向导通电路给开关电源的驱动电路供电，所述单向导通电路包括两个开关管及其驱动电路，所述的两个开关管的体二极管反向串联；当单向导通电路的输出电压小于其输入电压或者开关电源的下管导通时，在所述的两个开关管的控制端分别给定驱动电压，以减小两个开关管的导通压降；所述开关电源包括上管和下管，所述上管和下管相连，供电电压通过所述单向导通电路给所述上管的驱动电路供电。本发明可以避免体二极管寄生效应带来的影响。

技术领域

本发明涉及电力电子领域，特别涉及一种单向导通电路及应用其的开关电源。

背景技术

图1示意了现有技术开关电源原理图，供电电压VDD通过两个串联的MOS管给开关电源驱动电路供电；但当同步整流管M1关断时，SW处电压会被拉低到小于零，使得自举电容C0高电位端电压被拉低，从而使得输入端和自举电容C0正极之间的压差很大，导致主开关管M2会有漏电流从其体二极管流过。由于体二极管的寄生效应，漏电流流过体二极管会影响电路性能。

发明内容

本发明的目的是提供一种避免漏电流流过体二极管的单向导通电路充电方法及应用其的开关电源，用以解决现有技术存在的漏电流流过体二极管而带来的寄生效应的问题。

为实现上述目的，本发明提供了一种单向导通电路，应用于开关电源，供电电压通过所述单向导通电路给开关电源的驱动电路供电，所述单向导通电路包括两个开关管及其驱动电路，所述的两个开关管的体二极管反向串联；当单向导通电路的输出电压小于其输入电压或者开关电源的下管导通时，在所述的两个开关管的控制端分别给定驱动电压，以减小两个开关管的导通压降；

所述开关电源包括上管和下管，所述上管和下管相连，供电电压通过所述单向导通电路给所述上管的驱动电路供电。

可选的，所述的两个开关管均为NMOS管，当单向导通电路的输出电压大于其输入电压或者开关电源的下管关断时，两个开关管的栅极连接所述单向导通电路的输入端；当单向导通电路的输出电压小于其输入电压或者开关电源的下管导通时，两个开关管的栅极驱动电压高于所述供电电压。

可选的，所述的两个MOS管均为PMOS管，当单向导通电路的输出电压大于其输入电压或者开关电源的下管关断时，两个开关管的栅极连接所述单向导通电路的输出端；当单向导通电路的输出电压小于其输入电压或者开关电源的下管导通时，两个开关管的栅极驱动电压低于单向导通电路输出端电压。

可选的，所述的两个MOS管中，一个为NMOS管，另一个为PMOS管；当单向导通电路的输出电压大于其输入电压或者开关电源的下管关断时，NMOS管栅极连接PMOS管源极，PMOS管栅极连接其漏极和NMOS管源极；PMOS管源极连接单向导通电路的输入端，NMOS管漏极连接单向导通电路的输出端。

可选的，所述的两个MOS管中，一个为NMOS管，另一个为PMOS管；当单向导通电路的输出电压大于其输入电压或者开关电源的下管关断时，NMOS管栅极连接其漏极和PMOS管源极，PMOS管栅极连接NMOS管源极；PMOS管漏极连接单向导通电路的输入端，NMOS源极连接单向导通电路的输出端。

可选的，所述的NMOS管的驱动电路包括电荷泵电路，当单向导通电路的输出电压小于其输入电压或者开关电源的下管导通时，所述电荷泵电路驱动NMOS管导通。

可选的，所述的NMOS管的驱动电路包括第一电容，当单向导通电路的输出电压大于其输入电压或者开关电源的下管关断时，所述第一电容高电位端接收供电电压，其低电位端接收第一电压；当单向导通电路的输出电压小于其输入电压或者开关电源的下管导通时，所述第一电容低电位端接收供电电压，所述第一电容高电位端连接所述的NMOS管的栅极。