[发明专利]集成电路在审
| 申请号： | 202010522753.4 | 申请日： | 2020-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN112241193A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 畑中浩 | 申请（专利权）人： | 阿自倍尔株式会社 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 袁波;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 | ||
1.一种集成电路，其特征在于，具有：
共源共栅电流镜电路；
运算放大器，在其同相输入端子输入基准电压，其反相输入端子与连接电阻的端子连接；
多个并联连接的第二十MOS晶体管，其栅极端子与所述运算放大器的输出端子连接，其源极端子与所述端子连接，其漏极端子与所述共源共栅电流镜电路连接；以及
多个并联连接的第二十一MOS晶体管，其栅极端子与所述运算放大器的输出端子连接，其源极端子与所述端子连接，其漏极端子与所述共源共栅电流镜电路连接，
所述共源共栅电流镜电路具有：
第十MOS晶体管，其栅极端子和其漏极端子与所述第二十MOS晶体管的漏极端子连接，在其源极端子输入电源电压；
第十一MOS晶体管，其栅极端子与所述第二十一MOS晶体管的漏极端子连接，在其源极端子输入电源电压；
第十二MOS晶体管，其栅极端子与所述第二十MOS晶体管的漏极端子连接，其源极端子与所述第十一MOS晶体管的漏极端子连接，其漏极端子与所述第二十一MOS晶体管的漏极端子连接；
第十三MOS晶体管，其栅极端子与所述第二十一MOS晶体管的漏极端子连接，在其源极端子输入电源电压；以及
第十四MOS晶体管，其栅极端子与所述第二十MOS晶体管的漏极端子连接，其源极端子与所述第十三MOS晶体管的漏极端子连接，
所述第十一MOS晶体管与所述第十三MOS晶体管的尺寸比和所述第十二MOS晶体管与所述第十四MOS晶体管的尺寸比相同。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，
所述第二十MOS晶体管与所述第二十一MOS晶体管的并联数为1：10。
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