[发明专利]集成电路

说明书

本发明提供一种相对于现有结构能够对应更宽范围的设定电流值且能够设定宽的电流范围的集成电路。集成电路(1)具有：共源共栅电流镜电路(101)；运算放大器(OP)，在其同相输入端子输入基准电压，其反相输入端子与端子(102)连接；多个并联连接的MOS晶体管(M20)，其栅极端子与运算放大器(OP)的输出端子连接，其源极端子与端子(102)连接，其漏极端子与共源共栅电流镜电路(101)连接；多个并联连接的MOS晶体管(M21)，其栅极端子与运算放大器(OP)的输出端子连接，其源极端子与端子(102)连接，其漏极端子与共源共栅电流镜电路(101)连接，MOS晶体管(M11)与MOS晶体管(M13)的尺寸比和MOS晶体管(M12)与MOS晶体管(M14)的尺寸比相同。

技术领域

本发明涉及一种用于通过外置的电阻来决定恒定电流量的集成电路。

背景技术

以往，已知用外部的电阻来设定流过集成电路的电流值的恒定电流电路(例如参照专利文献1)。

在该集成电路中，例如图2所示，通过电流镜电路1011使流过上述电阻的电流向集成电路内部分路而流动。然而，在以往的集成电路中，晶体管的输出阻抗低，因此输出电流根据电流镜电路1011的输出电压而变化，电压因作为接受侧的电路的结构而异，因此电流精度变差。

作为该问题的对策，例如图3所示，有时使用共源共栅电流镜电路1012。然而，决定共源共栅电流镜电路1012的偏置条件的偏置电流是固定的，因此能够对应的电流的范围被限制在窄的范围内。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4208582号。

发明要解决的问题

像这样，在现有的集成电路中，电流根据电流镜电路1011的输出电压而变化。此外，当为了减少由输出电压导致的电流变化而使用共源共栅电流镜电路1012时，能够设定的电流范围存在制限。

发明内容

本发明是为了解决如上所述的问题而完成的，其目的在于提供一种集成电路，其相对于现有结构能够抑制由电流镜电路的输出电压导致的电流的变化且能够设定宽的电流范围。

用于解决问题的方案

本发明涉及的集成电路，其特征在于，具有：共源共栅电流镜电路；运算放大器，在其同相输入端子输入基准电压，其反相输入端子与连接电阻的端子连接；多个并联连接的第二十MOS晶体管，其栅极端子与运算放大器的输出端子连接，其源极端子与端子连接，其漏极端子与共源共栅电流镜电路连接；多个并联连接的第二十一MOS晶体管，其栅极端子与运算放大器的输出端子连接，其源极端子与端子连接，其漏极端子与共源共栅电流镜电路连接，共源共栅电流镜电路具有：第十MOS晶体管，其栅极端子和其漏极端子与第二十MOS晶体管的漏极端子连接，在其源极端子输入电源电压；第十一MOS晶体管，其栅极端子与第二十一MOS晶体管的漏极端子连接，在其源极端子输入电源电压；第十二MOS晶体管，其栅极端子与第二十MOS晶体管的漏极端子连接，其源极端子与第十一MOS晶体管的漏极端子连接，其漏极端子与第二十一MOS晶体管的漏极端子连接；第十三MOS晶体管，其栅极端子与第二十一MOS晶体管的漏极端子连接，在其源极端子输入电源电压；第十四MOS晶体管，其栅极端子与第二十MOS晶体管的漏极端子连接，其源极端子与第十三MOS晶体管的漏极端子连接，第十一MOS晶体管与第十三MOS晶体管的尺寸比和第十二MOS晶体管与第十四MOS晶体管的尺寸比相同。

发明效果

根据本发明，因为如上所述地构成，所以相对于现有结构能够抑制由电流镜电路的输出电压导致的电流的变化且能够设定宽的电流范围。

附图说明

图1为示出实施方式1所涉及的集成电路的结构例的图。