[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

基底；

以及形成在所述基底上的至少一个电容器，每个所述电容器均包括下部电极、上部电极、以及位于所述下部电极和所述上部电极之间的介电层，所述介电层覆盖所述下部电极，至少一个所述下部电极各部分的径向截面积均相等。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，至少一个所述下部电极为采用金属辅助化学液刻蚀方式形成的下部电极。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，各个所述电容器所包括的所述介电层连接在一起；和/或，

各个所述电容器所包括的所述上部电极连接在一起。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述基底具有至少一个有源区，每个所述有源区与相应所述电容器所包括的所述下部电极电连接。

5.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

在所述基底上形成至少一个电容器，每个所述电容器均包括下部电极、上部电极、以及位于所述下部电极和所述上部电极之间的介电层，至少一个所述下部电极各部分的径向截面积均相等。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述基底上形成至少一个电容器包括：

采用可控的刻蚀方式在所述基底上形成至少一个下部电极；

在每个所述下部电极的表面形成覆盖所述下部电极的介电层；

在每个所述介电层的表面形成上部电极。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述可控的刻蚀方式为金属辅助化学液刻蚀方式。

8.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述采用可控的刻蚀方式在所述基底上形成至少一个下部电极包括：

在所述基底上形成电极材料层；

采用金属辅助化学液刻蚀方式对所述电极材料层进行刻蚀，获得所述至少一个下部电极。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述电极材料层为采用外延生长方式形成的电极材料层。

10.根据权利要求8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述基底上形成电极材料层包括：

采用直接沉积方式在所述基底上形成所述电极材料层；

对所述电极材料层进行热处理工艺。

11.根据权利要求8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述采用金属辅助化学液刻蚀方式对所述电极材料层进行刻蚀所使用的刻蚀溶液为具有氧化作用的刻蚀溶液，所述具有氧化作用的刻蚀溶液为HNO₃、H₂O₂、HF中任意一种。

12.根据权利要求8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述采用金属辅助化学液刻蚀方式对所述电极材料层进行刻蚀所使用的掩膜为具有催化活性的金属掩膜。

13.根据权利要求12所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述具有催化活性的金属掩膜为金、银、铂、氮化钛、铜中的一种或几种。

14.根据权利要求12所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述采用可控的刻蚀方式在所述基底上形成至少一个下部电极后，所述在每个所述下部电极的表面形成覆盖所述下部电极的介电层前，所述半导体器件的制作方法还包括：

采用湿法刻蚀方式和/或干法刻蚀方式去除所述具有催化活性的金属掩膜；所述干法刻蚀方式包括等离子体干法刻蚀方式。