[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子设备

说明书

本发明公开一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体器件技术领域，以增大下部电极的表面积，从而增大电容器的存储容量，并提高半导体器件的数据存储性能。所述半导体器件包括基底和至少一个电容器。至少一个电容器形成在基底上。每个电容器均包括下部电极、上部电极、以及位于下部电极和上部电极之间的介电层。介电层覆盖下部电极。至少一个下部电极各部分的径向截面积均相等。所述半导体器件的制作方法用于制作上述技术方案所提供的半导体器件。本发明提供的半导体器件应用在电子设备中。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制作方法、电子设备。

背景技术

电容器是一种可以存储电量和电能的元件。可以通过在电容器的两个电极上施加不同的电压，使得电容器内储存不同数量的电荷。在此基础上，可以通过电容器来实现对不同数据的存储。由此可见，电容器的品质直接影响半导体器件的数据存储性能。

但是，在现有半导体器件中电容器所具有的下部电极的下部截面积较小，使得下部电极的表面积较小，从而导致电容器的存储容量较小，以及半导体器件的数据存储性能较差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制作方法、电子设备，用于增大下部电极的下部截面积，使得下部电极的表面积增大，从而提高电容器的存储容量，以及半导体器件的数据存储性能。

为了实现上述目的，本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：

基底；

形成在基底上的至少一个电容器，每个电容器均包括下部电极、上部电极、以及位于下部电极和上部电极之间的介电层，介电层覆盖下部电极，至少一个下部电极各部分的径向截面积均相等。

与现有技术相比，本发明提供的半导体器件中，在基底上形成有至少一个电容器，并且电容器所包括的下部电极各部分的径向截面积均相等。换句话说，沿着下部电极的高度方向，电容器所包括的下部电极为“上下等宽”结构。相比于现有技术中下部电极为“上宽下窄”结构，本发明提供的半导体器件中下部电极的下部截面积较大，增大了下部电极的表面积，从而增大了电容器的存储容量，并提高半导体器件的数据存储性能。此外，下部电极的下部截面积较大，还可以使得下部电极、以及与下部电极电连接的结构之间的接触面积增大。因接触面积与接触电阻成反比，下部电极、以及与下部电极电连接的结构之间接触面积增大，可以使得二者之间的接触电阻减小，从而提高半导体器件的工作性能。

本发明还提供了一种半导体器件的制作方法，该半导体器件的制作方法包括：

提供一基底；

在基底上形成至少一个电容器，每个电容器均包括下部电极、上部电极、以及位于下部电极和上部电极之间的介电层，至少一个下部电极各部分的径向截面积均相等。

与现有技术相比，本发明提供的半导体器件的制作方法的有益效果与上述技术方案提供的半导体器件的有益效果相同，此处不做赘述。

本发明还提供了一种电子设备，该电子设备包括上述技术方案提供的半导体器件。

与现有技术相比，本发明提供的电子设备的有益效果与上述技术方案提供的半导体器件的有益效果相同，此处不做赘述。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为现有技术中形成下部电极的制作过程示意图；

图2为本发明实施例提供的半导体器件结构示意图；

图3为本发明实施例中在基底上形成电极材料层后结构示意图；

图4为本发明实施例中在电极材料层上形成金属掩膜后结构示意图；