[发明专利]减少非型闪存编程泵面积的方法、系统、储存介质和终端

权利要求书

1.一种减少非型闪存编程泵面积的方法，其特征在于，应用在NOR Flash中，具体包括以下步骤：

S1：判断非易失性存储器芯片中的块是否被选中进行编程流程，是则跳转至S2，否则跳转至S3；

S2：被选中进行编程操作的块的电容负载由编程字线电压电荷泵供压实现编程流程；

S3：未被选中的块由电源电压实现供压，所述电源电压为非易失性存储器芯片的供电电压。

2.根据权利要求1所述的减少非型闪存编程泵面积的方法，其特征在于，所述编程流程包括以下步骤：

s11：判断被选中进行编程操作的块的电容负载电压是否达到预设的编程前字线电压预设值，是则跳转至s12，否则跳转至s11；

s12：使被选中进行编程操作的块处于编程字线电压供压状态，对被选中进行编程操作的块进行编程操作；

s13：被选中的块编程操作完毕，判断被选中的块的电容负载电压是否达到预设的编程检验字线电压预设值，是则跳转至s14，否则跳转至s12；

s14：非易失性存储器芯片进入待机模式。

3.根据权利要求2 所述的减少非型闪存编程泵面积的方法，其特征在于，所述s13和s14还包括以下步骤：

s13：被选中的块编程操作完毕，判断被选中的块的电容负载电压是否达到预设的编程检验字线电压预设值，是则跳转至s15，否则跳转至s12；

s15：判断非易失性存储器芯片中所有需要编程的块是否都已经编程完毕，是则跳转至s14，否则跳转至S1；

s14：非易失性存储器芯片进入待机模式。

4.一种采用如权利要求1至3任一所述的减少非型闪存编程泵面积的方法的系统，其特征在于，包括：

判断非易失性存储器芯片中的块是否被选中进行编程流程的判断模块（A1）；

为被选中进行编程操作的块的电容负载实现供压的编程字线电压电荷泵（A2）；

为未被选中的块实现供压的电源（A3）。

5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，还包括用于根据判断模块（A1）的判断控制编程字线电压电荷泵（A2）为被选中进行编程操作的块的电容负载实现供压、控制电源（A3）为未被选中的块实现供压的控制模块（A4）。

6.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，所述控制模块（A4）采用块地址解码电路实现。

7.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质中存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得所述计算机执行权利要求1至3任一项所述的方法。

8.一种终端，其特征在于，包括处理器（B301）和存储器（B302），所述存储器（B302）中存储有计算机程序，所述处理器（B301）通过调用所述存储器（B302）中存储的所述计算机程序，用于执行权利要求1至3任一项所述的方法。