[发明专利]减少非型闪存编程泵面积的方法、系统、储存介质和终端

说明书

本发明公开了一种减少非型闪存编程泵面积的方法、系统、储存介质和终端，通过将编程字线电压的负载进行了划分，编程字线电压电荷泵只需要负责一块被选中编程的存储单元阵列的状态切换，每次电压切换只需要对一块存储单元阵列的负载电容进行充放电，不会增加编程字线电压的建立时间，缩短了编程流程时间；而且本技术方案适用于各种容量的非易失性存储器，尤其是在高容量非易失性存储器的设计中，不但满足缩短编程流程时间的要求，同时节省了编程字线电荷泵的电路面积，节省了芯片的面积，从而降低了非易失性存储器在晶圆端的制造成本。

技术领域

本发明涉及电路技术领域，尤其涉及的是一种减少非型闪存编程泵面积的方法、系统、储存介质和终端。

背景技术

在非易失性存储器的电路设计中，电荷泵电路是一个非常主要的组成部分，非易失性存储器芯片的写操作需要电荷泵输出一个特定的电压或者电流让非易失性存储器单元工作在一个正确的状态，从而实现正确的写功能，而且在非易失性存储器芯片中，电荷泵电路所占用的面积是芯片外围电路（芯片外围电路即非易失性存储器芯片内除存储单元阵列、行解码和列解码外的电路）面积的主要组成部分，电荷泵电路占用的面积往往决定了非易失性存储器芯片在晶圆端的成本。

这里选取非易失性存储器之一的NOR Flash为例，以下图1是NOR Flash存储器中对存储器单元的写操作示意图。从图1可以看到，NOR Flash写操作需要电荷泵工作在正确的状态，数据编程时需要电荷泵输出8.4V左右的电压给到存储单元的栅端（字线），同时另一个电荷泵输出一个3.9V电压给到存储单元的漏端（位线）。

在高容量NOR Flash中，因为编程电荷泵未对存储单元阵列的电容负载进行划分（这个电容负载大小和芯片的存储容量成正比），会导致图2中的编程字线电压建立时间和编程校验字线电压建立时间大幅增加，从而极大地增加了整个编程流程的时间。如果想要缩短这些建立时间，需要大幅增加高容量NOR Flash编程字线电荷泵电路的面积，增加芯片的面积，从而增加芯片在晶圆端的制造成本。

因此，现有的技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种减少非型闪存编程泵面积的方法、系统、储存介质和终端，旨在解决编程电荷泵同时对所有储存单元阵列的电容负载进行供压，导致需要通过增加编程电荷泵面积的方法来缩短编程流程时间的问题。

本发明的技术方案如下：一种减少非型闪存编程泵面积的方法，其中，具体包括以下步骤：

S1：判断非易失性存储器芯片中的块是否被选中进行编程流程，是则跳转至S2，否则跳转至S3；

S2：被选中进行编程操作的块的电容负载由编程字线电压电荷泵供压实现编程流程；

S3：未被选中的块由电源电压实现供压。

本技术方案中，在NOR Flash进入到编程操作之后，将选中的块和未选中的块分别连接字线编程电压和电源电压，在被选中的块的状态切换时，编程字线电压电荷泵A2提供的字线编程电压的切换只需要针对被选中块的负载电容进行充放电，不会增加状态切换时字线电压的建立时间，可以提高编程流程的时间，但不需要增加编程字线电压电荷泵的面积来实现。

所述的减少非型闪存编程泵面积的方法，其中，所述电源电压为非易失性存储器芯片的供电电压。

本技术方案中，因为编程操作不会跨越块地址，所以未选中的块的地址范围内接电源电压没有影响，同时还可以节省能耗。

所述的减少非型闪存编程泵面积的方法，其中，所述编程流程包括以下步骤：

s11：判断被选中进行编程操作的块的电容负载电压是否达到预设的编程前字线电压预设值，是则跳转至s12，否则跳转至s11；

s12：使被选中进行编程操作的块处于编程字线电压供压状态，对被选中进行编程操作的块进行编程操作；