[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成介质层，所述介质层包括沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布的第一延伸区和第二延伸区，所述第一延伸区包括第一连接区和沿第一方向位于第一连接区之间的第一间隔区，所述第二延伸区包括第二连接区和沿第一方向位于第二连接区之间的第二间隔区；

在所述介质层上形成核心材料层，用于形成分立于所述第一延伸区的核心层；

图形化所述核心材料层，形成位于所述第一延伸区的核心层；

在所述核心层的侧壁上形成侧墙；

对所述核心材料层进行离子掺杂，适于使第一间隔区的核心材料层的耐刻蚀度大于第一连接区的核心材料层的耐刻蚀度；

在所述第二间隔区上形成填充于相邻侧墙之间的填充层，沿第一方向，相邻的所述填充层之间形成有位于第二连接区的第一凹槽；

在进行离子掺杂、以及形成所述核心层、侧墙和填充层后，去除位于所述第一连接区的核心层，形成位于所述第一连接区的第二凹槽，所述第二凹槽和第一凹槽沿第二方向间隔排列；

以所述填充层、侧墙以及位于所述第一间隔区的核心层为掩膜，刻蚀所述第一凹槽和第二凹槽下方的介质层，形成多个互连沟槽。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述核心材料层之后，且在图形化所述核心材料层之前，对所述的核心材料层进行离子掺杂。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在图形化所述核心材料层之后，且在去除位于所述第一连接区的核心层之前，对图形化后的核心材料层进行离子掺杂。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在图形化所述核心材料层之后，且在形成所述侧墙之前，进行所述离子掺杂；

或者，在形成所述侧墙之后，且在形成所述填充层之前，进行所述离子掺杂；

或者，在形成所述填充层之后，且在去除位于所述第一连接区的核心层之前，进行所述离子掺杂。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，进行所述离子掺杂的步骤包括：对位于所述第一间隔区的核心材料层进行离子掺杂，适于增大所述第一间隔区的核心材料层的耐刻蚀度；或者，对位于所述第一连接区的核心材料层进行离子掺杂，适于减小所述第一连接区的核心材料层的耐刻蚀度。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，进行所述离子掺杂的步骤包括：在所述介质层上形成位于所述第一延伸区和第二延伸区的第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜，对所述第一掩膜层露出的核心材料层进行离子掺杂；去除所述第一掩膜层。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述侧墙的步骤中，所述侧墙形成在所述核心层的顶面和侧壁、以及位于所述核心层之间的介质层上；

所述半导体结构的形成方法还包括：在形成所述侧墙之后，且在去除所述位于所述第一连接区的核心层之前，去除位于所述核心层的顶面上的所述侧墙，暴露出所述核心层的顶面。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述侧墙之后，且在形成所述填充层之前，去除位于所述核心层的顶面上的所述侧墙；

所述半导体结构的形成方法还包括：在去除位于所述核心层的顶面上的所述侧墙的步骤中，去除位于所述核心层之间的介质层上的所述侧墙。

9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述填充层之后，且在去除所述位于所述第一连接区的核心层之前，去除位于所述核心层的顶面上的所述侧墙；

形成所述填充层的步骤中，所述填充层覆盖位于所述第二间隔区的介质层上的所述侧墙；

在去除位于所述核心层的顶面上的所述侧墙的步骤中，还去除位于所述第二连接区的介质层上的所述侧墙。