[发明专利]显示面板的切割方法及显示装置有效
申请号: | 202010527403.7 | 申请日: | 2020-06-11 |
公开(公告)号: | CN111725437B | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 赵康 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何辉 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 切割 方法 显示装置 | ||
本发明提供了一种显示面板的切割方法及显示装置。所述显示面板的切割方法中包括制备一显示面板初品以及切割所述显示面板初品。其中,所述显示面板初品具有显示区及围绕所述显示区的切割区,在所述切割区内,所述显示面板初品具有一切割道以及至少两个凹槽,所述凹槽分别设于所述切割道的两侧。
技术领域
本发明涉及显示领域,特别是一种显示面板的切割方法及显示装置。
背景技术
进入21世纪以来,随着显示面板行业技术不断革新,柔性OLED(OrganicLight-Emitting Diode,有机电致发光二极管)产品由于其轻薄、可弯曲、可折叠、省电等众多优点,现在已然迎来了柔性面板的时代。
现有技术中的柔性显示面板仍然存在诸多问题,在柔性显示面板切割工艺中,屏幕最终的成型是通过激光异性切割而成。但是,在目前工艺的中,在进行激光切割时,如图1所示,显示面板初品100的顶层材料受热体积膨胀,容易产生裂纹200,从而导致水氧入侵发生腐蚀氧化,影响柔性显示面板的稳定性和使用寿命。
发明内容
本发明的目的是提供一种显示面板的切割方法及显示装置,以解决现有技术中柔性显示面板在进行激光切割成型时容易产生裂痕导致水氧入侵发生腐蚀氧化,从而影响柔性显示面板的稳定性,并同时影响器件的使用寿命等问题。
为实现上述目的,本发明中提供了一种显示面板的切割方法。所述显示面板的切割方法中包括以下步骤:
制备一显示面板初品:所述显示面板初品具有显示区及围绕所述显示区的切割区,在所述切割区内,所述显示面板初品具有一切割道以及至少两个凹槽,所述凹槽分别设于所述切割道的两侧。
切割所述显示面板初品:通过激光切割法沿所述切割道对所述显示面板初品进行切割,形成所述显示面板。
进一步地,在制备显示面板初品步骤中包括:制备柔性基层,所述柔性基层覆盖所述显示区和所述切割区。在所述柔性基层上形成缓冲层。在所述缓冲层上形成封装层。在所述缓冲层上形成有机层,所述有机层对应于所述切割区。在所述有机层上形成至少两个凹槽,所述切割道位于两个凹槽之间。
进一步地,在所述缓冲层上形成封装层步骤中包括:在所述柔性基层上形成所述封装层的主体部和延伸部,所述主体部对应于所述显示区,所述延伸部围绕所述主体部并位于所述有机层和所述缓冲层之间。
进一步地,所述有机层厚度与所述封装层的厚度相同。
进一步地,所述有机层的厚度和所述封装层延伸部的厚度之和等于所述封装层主体部的厚度。
进一步地,在制备柔性基层步骤中包括:提供第一柔性层。在所述第一柔性层上形成无机层。在所述无机层上形成第二柔性层。
进一步地,所述第一柔性层和所述第二柔性层中具有聚酰亚胺。所述无机层中具有硅氧化物。
进一步地,所述切割区的宽度为100-300微米。所述切割道的宽度为50-200微米。
进一步地,所述凹槽的截面为“V”字型和/或“U”字型。
本发明中还提供一种显示装置。所述显示装置包括如上所述显示面板切割方法制备出的显示面板。
本发明的优点是:
本发明中所提提供的显示面板的切割方法,通过在切割区设置有机层,并通过有机层中的凹槽拦截切割过程中产生的裂痕,防止裂痕延伸至显示面板的膜层内,提高显示面板的良品率,同时提高显示面板的使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择