[发明专利]存储器装置在审

专利信息
申请号: 202010527845.1 申请日: 2020-06-11
公开(公告)号: CN112349724A 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 尹敬和;郭判硕;金灿镐;姜东求 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/11529 分类号: H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582;G11C8/14
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘美华;韩芳
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 装置
【权利要求书】:

1.一种存储器装置,所述存储器装置包括:

外围电路区域,包括第一基底和位于所述第一基底上的电路元件,所述电路元件包括行解码器;

单元阵列区域,包括:字线,堆叠在所述外围电路区域上的第二基底上;以及沟道结构,在与所述第二基底的上表面垂直的方向上延伸并穿过所述字线;以及

单元接触区域,包括单元接触件,所述单元接触件连接到所述字线且位于所述单元阵列区域的在与所述第二基底的所述上表面平行的第一方向上的两侧上,所述单元接触区域包括第一单元接触区域和第二单元接触区域,所述第一单元接触区域和所述第二单元接触区域在所述第一方向上具有彼此不同的长度,

其中,所述第一单元接触区域和所述第二单元接触区域中的每个包括:在所述第一方向上具有彼此不同的长度的第一垫和第二垫,所述第二垫与所述第一垫不同,

所述单元接触件在所述第一垫中连接到所述字线,并且

包括在所述第一单元接触区域中的所述第二垫的数量比包括在所述第二单元接触区域中的所述第二垫的数量大。

2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,在所述第一方向上,所述第一单元接触区域的长度比所述第二单元接触区域的长度大。

3.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,包括在所述第一单元接触区域中的所述第一垫和所述第二垫的面积之和比包括在所述第二单元接触区域中的所述第一垫和所述第二垫的面积之和大。

4.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,包括在所述第一单元接触区域中的所述第一垫的数量和所述第二垫的数量之和比包括在所述第二单元接触区域中的所述第一垫的数量和所述第二垫的数量之和大。

5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中,所述行解码器包括连接到所述字线的第一传输元件及第二传输元件,并且

所述第一传输元件中的每个连接到所述字线中的一条,所述第二传输元件中的每个连接到所述字线之中的两条或更多条字线。

6.根据权利要求5所述的存储器装置,其中,连接到所述第二传输元件中的一个的所述两条或更多条字线在与所述第二基底的所述上表面垂直的方向上位于相同的高度处。

7.根据权利要求5所述的存储器装置,其中,所述第二传输元件中的至少一个具有大于或等于所述第一传输元件中的每个的面积的面积。

8.根据权利要求5所述的存储器装置,其中,连接到所述第一传输元件的所述字线的数量比连接到所述第二传输元件的所述字线的数量大。

9.根据权利要求5所述的存储器装置,其中,连接到所述第一传输元件的所述字线中的每条具有比连接到所述第二传输元件的所述字线中的每条的电阻高的电阻。

10.根据权利要求5所述的存储器装置,其中,连接到所述第一传输元件的所述字线中的每条具有与连接到所述第二传输元件的所述字线中的每条的厚度不同的厚度。

11.根据权利要求5所述的存储器装置,其中,所述沟道结构中的每个包括从所述第二基底的所述上表面延伸的下沟道结构以及从所述下沟道结构延伸的上沟道结构,并且

所述字线包括下字线和上字线,所述下沟道结构穿透所述下字线并且所述上沟道结构穿透所述上字线,所述下字线中的至少一条连接到所述第二传输元件中的至少一个。

12.根据权利要求11所述的存储器装置,其中,所述上字线连接到所述第一传输元件。

13.根据权利要求11所述的存储器装置,其中,所述上字线中的至少部分具有比所述下字线的厚度高的厚度。

14.根据权利要求11所述的存储器装置,其中,所述字线包括在所述下字线和所述上字线之间并且与在所述下沟道结构和所述上沟道结构之间的边界相邻的至少一个虚设字线。

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