[发明专利]存储器装置

说明书

一种存储器装置，所述存储器装置包括：外围电路区域，包括第一基底和位于第一基底上的电路元件，电路元件包括行解码器；单元阵列区域，包括字线和沟道结构，字线堆叠在外围电路区域上的第二基底上，沟道结构在与第二基底的上表面垂直的方向上延伸并穿透字线；以及单元接触区域，包括单元接触件，单元接触件连接到字线并位于单元阵列区域的在与第二基底的上表面平行的第一方向上的两侧上，单元接触区域包括第一单元接触区域和第二单元接触区域，第一单元接触区域和第二单元接触区域在第一方向上具有彼此不同的长度。

本申请要求于2019年8月6日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0095526号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及存储器装置。

背景技术

存储器装置可以提供写入数据和擦除数据或者读取写入的数据的功能。存储器装置可以被分类为非易失性存储器装置和易失性存储器装置。即使当非易失性存储器装置的电源被中断时，非易失性存储器装置也保留其存储的数据。存储器装置所需的数据存储容量趋于增加。因此，已经提出各种方法以增加存储器装置的集成密度。

发明内容

示例实施例提供了一种存储器装置，所述存储器装置的集成密度通过将包括在存储器装置中的单元区域形成为在与基底的上表面平行的方向之中的至少一个方向上不对称而增加。

根据一些示例实施例，一种存储器装置包括：外围电路区域，包括第一基底和位于第一基底上的电路元件，电路元件包括行解码器；单元阵列区域，包括字线和沟道结构，字线堆叠在外围电路区域上的第二基底上，沟道结构在与第二基底的上表面垂直的方向上延伸并穿透字线；以及单元接触区域，包括单元接触件，单元接触件连接到字线并位于单元阵列区域的在与第二基底的上表面平行的第一方向上的两侧上，单元接触件包括第一单元接触区域和第二单元接触区域，第一单元接触区域和第二单元接触区域在第一方向上具有彼此不同的长度。第一单元接触区域和第二单元接触区域中的每个包括在第一方向上具有彼此不同的长度的第一垫以及与第一垫不同的第二垫，并且单元接触件在第一垫中连接到字线。包括在第一单元接触区域中的第二垫的数量比包括在第二单元接触区域中的第二垫的数量大。

根据一些示例实施例，一种存储器装置包括：外围电路区域，包括位于第一基底上的传输元件；以及多个单元区域，位于外围电路区域上方的第二基底上，多个单元区域中的每个包括至少一个存储器块。多个单元区域中的每个包括单元阵列区域和单元连接区域，在单元阵列区域中，多条字线连接到传输元件并且多个沟道结构穿透字线，在单元连接区域中，从单元阵列区域延伸的字线连接到多个单元接触件。传输元件中的至少一个公共地连接到包括在单元接触件之中的彼此相邻的一对单元区域中的一对字线，并且所述一对字线位于距第二基底的上表面相同的水平上。

根据一些示例实施例，一种存储器装置包括：外围电路区域，包括传输元件；以及多个单元区域，多个单元区域中的每个包括单元阵列区域，单元阵列区域包括堆叠在外围电路区域上方的基底上的字线和穿透字线的沟道结构。多个单元区域中的每个包括在与基底的上表面平行的第一方向上彼此相邻的第一单元区域和第二单元区域以及在第一方向上彼此相邻的第三单元区域和第四单元区域。第一单元区域的单元阵列区域和第二单元区域的单元阵列区域之间的距离不同于第三单元区域的单元阵列区域和第四单元区域的单元阵列区域之间的距离。

附图说明

通过以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本公开的上面的和其它的方面、特征和优点，在附图中：

图1和图2是根据一些示例实施例的存储器装置的示意图；

图3和图4示出了根据一些示例实施例的存储器装置中的存储器单元阵列与传输元件(pass element)之间的连接关系；

图5是根据一些示例实施例的存储器装置的示意性平面图；