[发明专利]一种磁阻式随机存取存储器

权利要求书

1.一种磁阻式随机存取存储器，其特征在于，包含：

第一晶体管以及第二晶体管，设于基底上；

源极线，偶接该第一晶体管的第一源极/漏极区域；以及

第一金属内连线，偶接该第一晶体管的第二源极/漏极区域，其中该第一金属内连线延伸并重叠该第二晶体管。

2.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器，其中该第一金属内连线重叠该第一晶体管及该第二晶体管。

3.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器，其中该第二晶体管包含：

第三源极/漏极区域；以及

第四源极/漏极区域，其中该第一金属内连线重叠该第一晶体管的该第二源极/漏极区域以及该第二晶体管的该第三源极/漏极区域。

4.如权利要求3所述的磁阻式随机存取存储器，其中该第一金属内连线包含：

第一端，偶接该第一晶体管的该第二源极/漏极区域；以及

第二端，偶接一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)。

5.如权利要求4所述的磁阻式随机存取存储器，其中该磁性隧穿结重叠该第二晶体管的该第三源极/漏极区域。

6.如权利要求4所述的磁阻式随机存取存储器，其中该磁性隧穿结包含：

自由层，偶接该第一金属内连线；

阻障层；以及

固定层，偶接一位线。

7.如权利要求6所述的磁阻式随机存取存储器，另包含第二金属内连线，偶接该磁性隧穿结的该固定层以及该位线。

8.如权利要求7所述的磁阻式随机存取存储器，其中该第二金属内连线重叠该第二晶体管的该第三源极/漏极区域。

9.一种磁阻式随机存取存储器，其特征在于，包含：

栅极结构，沿着第一方向延伸于基底上；

第一掺杂区以及第二掺杂区，沿着第二方向延伸于该栅极结构两侧；

第一源极/漏极区域，设于该栅极结构一侧的该第一掺杂区上；

第二源极/漏极区域，设于该栅极结构另一侧的该第二掺杂区上；以及

第一金属内连线，重叠该第一源极/漏极区域以及该第二源极/漏极区域。

10.如权利要求9所述的磁阻式随机存取存储器，另包含绝缘区域，设于该第一掺杂区以及该第二掺杂区之间。

11.如权利要求10所述的磁阻式随机存取存储器，其中该第一金属内连线重叠该第一源极/漏极区域、该绝缘区域以及该第二源极/漏极区域。

12.如权利要求10所述的磁阻式随机存取存储器，其中该第一金属内连线依据上视角度包含Z字形图案。

13.如权利要求12所述的磁阻式随机存取存储器，其中该Z字形图案包含：

第一部分，沿着该第二方向延伸并重叠该栅极结构以及该第一源极/漏极区域；

第二部分，沿着该第一方向延伸并重叠该绝缘区域；以及

第三部分，沿着该第二方向延伸并重叠该栅极结构以及该第二源极/漏极区域。

14.如权利要求13所述的磁阻式随机存取存储器，其中该第一部分重叠该栅极结构一侧的该第一源极/漏极区域。

15.如权利要求13所述的磁阻式随机存取存储器，其中该第三部分重叠该栅极结构另一侧的该第二源极/漏极区域。

16.如权利要求13所述的磁阻式随机存取存储器，其中该第三部分重叠一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)。