[发明专利]一种磁阻式随机存取存储器

说明书

本发明公开一种磁阻式随机存取存储器，其主要包含第一晶体管以及第二晶体管设于基底上、一源极线偶接该第一晶体管的第一源极/漏极区域以及一第一金属内连线偶接第一晶体管的第二源极/漏极区域，其中第一金属内连线延伸并重叠第一晶体管及第二晶体管，且第一金属内连线包含第一端偶接第一晶体管的第二源极/漏极区域以及第二端偶接一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)。

技术领域

本发明涉及一种磁阻式随机存取存储器的布局图案。

背景技术

已知，磁阻(magnetoresistance,MR)效应是材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在有无磁场下的电阻差除上原先电阻，用以代表电阻变化率。目前，磁阻效应已被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。此外，利用巨磁电阻物质在不同的磁化状态下具有不同电阻值的特点，还可以制成磁性随机存储器(MRAM)，其优点是在不通电的情况下可以继续保留存储的数据。

上述磁阻效应还被应用在磁场感测(magnetic field sensor)领域，例如，移动电话中搭配全球定位系统(global positioning system,GPS)的电子罗盘(electroniccompass)零组件，用来提供使用者移动方位等资讯。目前，市场上已有各式的磁场感测技术，例如，各向异性磁阻(anisotropic magnetoresistance,AMR)感测元件、巨磁阻(GMR)感测元件、磁隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)感测元件等等。然而，上述技术现有技术的缺点通常包括：较占芯片面积、制作工艺较昂贵、较耗电、灵敏度不足，以及易受温度变化影响等等，而有必要进一步改进。

发明内容

本发明一实施例揭露一种磁阻式随机存取存储器，其主要包含第一晶体管以及第二晶体管设于基底上、一源极线偶接该第一晶体管的第一源极/漏极区域以及一第一金属内连线偶接第一晶体管的第二源极/漏极区域，其中第一金属内连线延伸并重叠第一晶体管及第二晶体管，且第一金属内连线包含第一端偶接第一晶体管的第二源极/漏极区域以及第二端偶接一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)。

本发明另一实施例揭露一种磁阻式随机存取存储器，其主要包含一栅极结构沿着第一方向延伸于基底上、第一源极/漏极区域沿着第二方向延伸于栅极结构旁、第二源极/漏极区域沿着第二方向延伸于栅极结构旁以及第一金属内连线重叠栅极结构一侧的第一源极/漏极区域以及栅极结构另一侧的第二源极/漏极区域。

附图说明

图1为本发明一实施例的一MRAM元件的结构示意图；

图2为本发明一实施例的一MRAM元件相对于图1结构的实际布局示意图。

主要元件符号说明：

12:基底

14:第一晶体管

16:第二晶体管

18:栅极结构

20:源极/漏极区域

22:接触插塞

24:金属内连线

26:金属内连线

28:金属内连线

30:金属内连线

32:金属内连线

34:MTJ(磁性隧穿结)

36:金属内连线

38:金属内连线

40:固定层

42:阻障层