[发明专利]具有透射切换板的热处理系统及控制其操作的方法有效
申请号: | 202010528412.8 | 申请日: | 2020-06-11 |
公开(公告)号: | CN112086379B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 杨晓晅;罗尔夫·布雷芒斯多费尔 | 申请(专利权)人: | 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324 |
代理公司: | 北京易光知识产权代理有限公司 11596 | 代理人: | 崔晓光 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 透射 切换 热处理 系统 控制 操作 方法 | ||
1.一种热处理系统,包括:
处理室;
工件支撑件,配置为支撑所述处理室内的工件;
热源,配置为向所述工件发射光;
遮挡件,设置于所述工件和所述热源之间,该遮挡件包括能够配置为半透明状态和不透明状态的电致变色材料,其中,当所述电致变色材料配置为不透明状态时,所述遮挡件减少光透射穿过所述遮挡件,并且当所述电致变色材料配置为半透明状态时,光至少部分地穿过所述遮挡件;以及控制器,配置为控制所述遮挡件,以在热处理工艺期间减少光透射穿过所述遮挡件。
2.根据权利要求1所述的热处理系统,其中,所述热处理工艺是尖峰退火工艺。
3.根据权利要求2所述的热处理系统,其中,所述控制器配置为在尖峰退火工艺期间控制所述遮挡件的操作状态,以减小与所述尖峰退火工艺相关联的峰值宽度。
4.根据权利要求3所述的热处理系统,其中,所述控制器配置为控制所述遮挡件的操作状态,使得所述尖峰退火工艺具有0.8秒或更小50K温度峰值宽度。
5.根据权利要求1所述的热处理系统,其中,当所述遮挡件处于不透明状态时,所述遮挡件配置为反射的。
6.根据权利要求1所述的热处理系统,其中,所述控制器配置为至少部分地基于热源激活信号来控制所述遮挡件的操作状态,以在所述热处理工艺期间减少所述光透射穿过所述遮挡件。
7.根据权利要求6所述的热处理系统,其中,所述热源激活信号指定激活所述热源,以在所述热处理工艺期间发射所述光。
8.根据权利要求6所述的热处理系统,其中,所述控制器配置为在所述热处理工艺期间在从激活所述热源起的时间间隔期满之后,将所述遮挡件的所述操作状态从所述半透明状态改变为所述不透明状态。
9.根据权利要求8所述的热处理系统,其中,所述时间间隔在5毫秒至100毫秒的范围内。
10.根据权利要求1所述的热处理系统,其中,所述控制器配置为至少部分地基于温度设定点来控制所述遮挡件的操作状态,以在所述热处理工艺期间减少所述光透射穿过所述遮挡件。
11.根据权利要求10所述的热处理系统,其中,所述控制器配置为至少部分地基于所述工件达到所述温度设定点的温度,将所述遮挡件的所述操作状态从所述半透明状态改变为所述不透明状态。
12.根据权利要求11所述的热处理系统,其中,指示所述工件的所述温度的数据经由一个或多个高温计获得。
13.根据权利要求10所述的热处理系统,其中,所述温度设定点在与所述热处理工艺相关联的加热曲线的峰值温度的20%以内。
14.根据权利要求1所述的热处理系统,其中,所述热源是灯热源。
15.一种用于控制热处理系统的操作的方法,该热处理系统包括热源以及定位于所述热源和工件之间的遮挡件,所述工件设置在所述热处理系统的处理室内,所述方法包括:
激活所述热源以发射光来加热所述工件以进行尖峰退火工艺;
确定在所述尖峰退火工艺期间激活所述热源之后的时间间隔期满;以及
在所述时间间隔期满时,控制所述遮挡件以将所述遮挡件的操作状态从半透明状态改变为不透明状态,以在所述尖峰退火工艺期间减少来自所述热源的光透射穿过所述遮挡件,
其中,所述遮挡件包括能够配置为所述半透明状态或所述不透明状态的电致变色材料,其中,当所述电致变色材料配置为所述不透明状态时,所述遮挡件减少光透射穿过所述遮挡件,并且当所述电致变色材料配置为所述半透明状态时,光至少部分地穿过所述遮挡件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司,未经玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造