[发明专利]具有透射切换板的热处理系统及控制其操作的方法有效
申请号: | 202010528412.8 | 申请日: | 2020-06-11 |
公开(公告)号: | CN112086379B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 杨晓晅;罗尔夫·布雷芒斯多费尔 | 申请(专利权)人: | 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324 |
代理公司: | 北京易光知识产权代理有限公司 11596 | 代理人: | 崔晓光 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 透射 切换 热处理 系统 控制 操作 方法 | ||
本公开提供了用于处理工件的系统和方法。在一个示例中,该系统包括处理室。该系统包括配置为支撑处理室内的工件的工件支撑件。该系统包括配置为向工件发射光的热源。该系统包括设置在工件和热源之间的遮挡件。遮挡件包括可配置为半透明状态和不透明状态的电致变色材料。当电致变色材料配置为不透明状态时,遮挡件减少光透射穿过遮挡件,并且当电致变色材料配置为半透明状态时,光至少部分地穿过遮挡件。该系统包括控制器,该控制器配置为控制遮挡件,以在热处理工艺期间减少光透射穿过遮挡件。
优先权要求
本申请要求2019年6月13日提交的序列号为62/861,116、题目为“具有传动切换板的热处理系统(Thermal Processing System with Transmission Switch Plate)”的美国临时申请的优先权益,其通过引用并入本文。
技术领域
本公开总体涉及热处理系统及控制该热处理系统的操作的方法。
背景技术
热处理系统可以限定配置为容纳工件(例如半导体晶圆)的处理室。热处理系统还可以包括配置为加热工件的热源(例如,加热灯)。一些热处理系统可用于对工件实施尖峰退火工艺。
发明内容
本公开的实施例的各个方面和优点将在下面的具体实施方式中进行部分阐述,或者可以从具体实施方式中知悉,或者可以通过实践实施例来知悉。
本公开的一个示例方面涉及热处理系统。该系统包括处理室。该系统包括配置为支撑处理室内的工件的工件支撑件。该系统包括配置为向工件发射光的热源。该系统包括设置在工件和热源之间的遮挡件。遮挡件包括可配置为半透明状态和不透明状态的电致变色材料。当电致变色材料配置为不透明状态时,遮挡件减少光透射穿过遮挡件,并且当电致变色材料配置为半透明状态时,光至少部分地穿过遮挡件。该系统包括控制器,该控制器配置为控制遮挡件,以在热处理工艺期间减少光透射穿过遮挡件。
本公开的其他示例方面涉及用于对半导体基底进行热处理的系统、方法、装置和工艺。
参考以下具体实施方式和所附权利要求,各实施例的这些和其他特征、方面和优点将变得更好理解。被并入并构成本说明书一部分的附图示出了本公开的实施例,并与具体实施方式一起用于解释相关原理。
附图说明
参考附图,在说明书中面向本领域普通技术人员阐述了实施例的详细讨论,其中:
图1描绘了根据本公开的示例实施例的热处理系统;
图2描绘了根据本公开的示例实施例的热处理系统的遮挡件的平面图;
图3描绘了根据本公开的示例实施例的热处理系统的遮挡件的截面图;
图4描绘了根据本公开的示例实施例的热处理系统的示例温度时间曲线;
图5描绘了根据本公开的示例实施例的热处理系统的示例温度时间曲线;
图6描绘了根据本公开的示例实施例的示例方法的流程图;以及
图7描绘了根据本公开的示例实施例的示例方法的流程图。
具体实施方式
现将详细参考实施例,其一个或多个示例示于附图中。提供每个示例用于解释实施例,而不是限制本公开。实际上,对于本领域技术人员将显而易见的是,在不脱离本公开的范围或精神的情况下,可以对实施例进行各种修改和变形。例如,作为一个实施例的一部分所示出或描述的特征可以与另一实施例一起使用,以产生又一实施例。因此,意图使本公开的各方面覆盖这样的修改和变形。
本公开的示例性方面涉及热处理系统和相关联的方法,以更严格地控制热处理工艺(例如尖峰退火工艺)期间的温度曲线。尖峰退火工艺可以是在几秒钟或更短时间内将工件加热到高温的热处理工艺。例如,尖峰退火工艺可用于激活工件(如硅晶圆)中的掺杂剂。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司,未经玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造