[发明专利]一种光电器件及其制备方法、光电探测器

权利要求书

1.一种光电器件，其特征在于，所述光电器件包括：位于衬底上的感光层，分别与所述感光层接触的第一电极和第二电极；在所述第一电极和/或所述第二电极的图案未覆盖的区域，所述感光层具有多个凹槽；

在所述衬底上，所述第一电极、所述感光层和所述第二电极依次层叠设置；且所述感光层具有的凹槽与所述第二电极的图案在所述衬底上的正投影互不重叠；

所述第一电极包括：在衬底上阵列排布的第一子电极，第一子电极的图案为具有第一开口区的口字形；

所述第二电极的图案为具有多个第二开口区的网格形；

所述第一开口区和所述第二开口区一一对应；

所述感光层具有的凹槽在所述衬底上的正投影，落入所述第一开口区以及所述第二开口区的正投影范围内。

2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，一个所述第一开口区的正投影覆盖至少一个所述凹槽。

3.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述感光层包括：半导体感光层，以及位于所述半导体感光层和所述第二电极之间的势垒增强层。

4.根据权利要求3所述的光电器件，其特征在于，所述凹槽的深度等于所述半导体感光层的一半。

5.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述凹槽在所述衬底上正投影的形状为矩形或圆形。

6.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的材料包括石墨烯。

7.一种光电器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底之上形成感光层，以及形成分别与所述感光层接触的第一电极的图案和第二电极的图案；

在所述第一电极和/或所述第二电极的图案未覆盖的区域，采用图形化工艺在所述感光层形成多个凹槽；

在衬底之上形成感光层，以及形成分别与所述感光层接触的第一电极的图案和第二电极的图案，具体包括：

在所述衬底之上沉积第一电极材料，采用图形化工艺形成多个具有第一开口区的口字形第一子电极的图案；

在所述第一子电极上形成所述感光层；

在所述感光层上沉积第二电极材料，采用图形化工艺形成具有多个第二开口区的网格形的所述第二电极的图案；其中，所述第一开口区和所述第二开口区一一对应；

采用图形化工艺在所述感光层形成多个凹槽，具体包括：

采用图形化工艺，在所述第一开口区正投影覆盖的所述感光层形成至少一个凹槽。

8.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括根据权利要求1～6任一项所述的光电器件。