[发明专利]一种光电器件及其制备方法、光电探测器

说明书

本申请公开了一种光电器件及其制备方法、光电探测器，用以降低感光层反射，提高感光层光吸收效率。本申请实施例提供的一种光电器件，所述光电器件包括：位于衬底上的感光层，分别与所述感光层接触的第一电极和第二电极；在所述第一电极和/或所述第二电极的图案未覆盖的区域，所述感光层具有多个凹槽。

技术领域

本申请涉及光电器件技术领域，尤其涉及一种光电器件及其制备方法、光电探测器。

背景技术

光电探测器技术已经被进行了广泛深入的研究。目前，光电探测器包括感光层，感光层为完整的平面结构，但是平面结构的感光层会造成30％的光反射。

综上，现有技术光电探测器中感光层的反射率高，影响感光层光吸收效率，影响光电探测器的效率以及检测准确度。

发明内容

本申请实施例提供了一种光电器件及其制备方法、光电探测器，用以降低感光层反射，提高感光层光吸收效率。

本申请实施例提供的一种光电器件，所述光电器件包括：位于衬底上的感光层，分别与所述感光层接触的第一电极和第二电极；在所述第一电极和/或所述第二电极的图案未覆盖的区域，所述感光层具有多个凹槽。

本申请实施例提供的光电器件，感光层入光侧具有多个凹槽，即感光层的感光表面具有立体结构，从而入射光可以在凹槽的侧壁和底部发生多次反射以及折射，从而可以减少光反射率，增加感光层的光吸收效率，进而可以提高光电器件的光电探测效率以及可靠性。

可选地，在所述衬底上，所述第一电极、所述感光层和所述第二电极依次层叠设置；且所述感光层具有的凹槽与所述第二电极的图案在所述衬底上的正投影互不重叠。

本申请实施例提供的光电器件，凹槽与第二电极的图案在衬底上的正投影不重叠，第二电极的图案不会对光线入射凹槽造成影响。

可选地，所述第一电极包括：在衬底上阵列排布的第一子电极，第一子电极的图案为具有第一开口区的口字形；

所述第二电极的图案为具有多个第二开口区的网格形；

所述第一开口区和所述第二开口区一一对应；

所述感光层具有的凹槽在所述衬底上的正投影，落入所述第一开口区以及所述第二开口区的正投影范围内。

本申请实施例提供的光电器件，凹槽在衬底上的正投影落入第一开口区以及第二开口区的正投影范围内，即第一子电极的开口区域以及第二电极的开口区域的正投影包围凹槽区域的正投影，从而可以增加第一子电极对感光层光电子收集的面积，进一步提高光吸收效率。

可选地，一个所述第一开口区的正投影覆盖至少一个所述凹槽。

可选地，所述感光层包括：半导体感光层，以及位于所述半导体感光层和所述第二电极之间的势垒增强层。

本申请实施例提供的光电器件，在第二电极与半导体感光层之间设置势垒增强层可以有效的降低光电器件的暗电流。

可选地，所述凹槽的深度等于所述半导体感光层的一半。

可选地，所述凹槽在所述衬底上正投影的形状为矩形或圆形。

可选地，所述第一电极和所述第二电极的材料包括石墨烯。

本申请实施例提供的一种光电器件的制备方法，所述方法包括：

在衬底之上形成感光层，以及形成分别与所述感光层接触的第一电极的图案和第二电极的图案；

在所述第一电极和/或所述第二电极的图案未覆盖的区域，采用图形化工艺在所述感光层形成多个凹槽。