[发明专利]一种高驱动功率5G通信基站的电源

说明书

本发明提出了一种高驱动功率5G通信基站的电源。该用于5G通信基站的电源，包括连接供电设备的PFC电路，所述PFC电路包括功率放大模块，所述功率放大模块通过IC芯片驱动2个MOS管导通，以增大输入电流，在控制成本的前提下有效提高功率因数值。

技术领域

本申请涉及电源技术领域，尤其涉及一种高驱动功率5G通信基站的电源。

背景技术

5G时代正在加速到来，新兴的业务模式使得通信基站的能耗大幅增长，传统的通信电源捉襟见肘，对电源的性能和功能提出了新要求。其中，功率因数校正PFC（PowerFactor Correction）指的是有效功率于总耗电量（视在功率）之间的关系，也就是有效功率除以总耗电量的比值。基本上功率因数可以衡量电力被有效利用的程度，当功率因数值越大，代表用电设备电力利用率越高。

面对多种新兴业务模式，电源采用的有源PFC电路实现的功率因数值有待提高。目前市面上出现应一种高驱动功率5G通信基站的电源的有源PFC电路多采用昂贵的IC芯片来满足要求，但是成本较高。因此，需要一种高驱动功率5G通信基站的电源，以解决现有技术中存在的上述技术问题。

发明内容

本申请提供一种高驱动功率5G通信基站的电源，在控制成本的前提下有效提高功率因数值。

本申请采用的技术方案是：一种高驱动功率5G通信基站的电源，包括连接供电设备的PFC电路，所述PFC电路包括功率放大模块，所述功率放大模块通过IC芯片驱动2个MOS管，以增大输入电流。

可选地，所述功率放大模块包括：2个IC芯片，1个整流桥堆，2个MOS管，2个电感，5个电感，9个电阻，9个电容，其中，芯片ICE3PCS03G的GATE引脚串联电阻（RT1）连接至芯片TC44201的INPUT引脚，芯片ICE3PCS03G的Isense引脚串联电阻（R182）后分别连接至MOS（Q36）和MOS管（Q37）的S极，芯片TC44201的OUT引脚6串联电阻（R167）后连接至MOS管（Q37）的G极，芯片TC44201的OUT引脚7与并联的电阻（R165）和二极管（D40）串联后连接至MOS管（Q36）的G极，二极管（D43）的一端连接至电阻（R167）和MOS管（Q37）之间后其另一端连接至芯片TC44201的OUT引脚7和电阻（R165）之间，电阻（R170）的一端连接至电阻（R165）和MOS管（Q36）之间后接地，电阻（R172）的一端连接至电阻（R167）和MOS管（Q37）之间后接地，电阻（R169）、电阻（R174）和电阻（R178）并联后的一端分别连接至MOS（Q36）和MOS管（Q37）的S极后接地，整流桥堆（D42）的V+引脚与并联的电感（L8）和二极管（D38）串联后连接至MOS管（Q36）的D极，整流桥堆（D42）的V+引脚串联电感（L9）后连接至MOS管（Q37）的D极，二极管（D39）和二极管（D41）串联后连接至MOS管（Q36）的D极和MOS管（Q37）的D极之间，电容（C79）的一端连接至整流桥堆（D42）的V+引脚后接地，芯片ICE3PCS03G的Icomp引脚串联电容（C88）后接地，芯片ICE3PCS03G的FREQ引脚与并联的电阻（R184）和电容（C94）的串联后接地，电容（C93）的一端连接至芯片ICE3PCS03G的Isense引脚后接地，电容（C92）的一端连接至芯片ICE3PCS03G的VSENSE引脚后接地，电容（C80）、电容（C82）、电容（C83）、电容（C84）并联后的一端连接至芯片ICE3PCS03G的VCC引脚和芯片TC44201的VDD引脚之间后接地。