[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底(1)及生长在所述衬底(1)上的外延层(2)，所述外延层(2)包括在所述衬底(1)上依次层叠的n型GaN层(21)、发光层(22)及p型GaN层(23)，

其特征在于，所述发光层(22)包括依次层叠在所述n型GaN层(21)上的第一复合层(221)与第二复合层(222)，所述第一复合层(221)包括依次层叠在所述n型GaN层(21)上的第一GaN垒层(2211)、第一InGaN阱层(2212)与第二GaN垒层(2213)，所述第二复合层(222)包括多个交替层叠的第二InGaN阱层(2221)与第三GaN垒层(2222)，

所述第一GaN垒层(2211)的厚度小于所述第三GaN垒层(2222)的厚度，所述第一InGaN阱层(2212)的厚度大于所述第二InGaN阱层(2221)的厚度，所述第二GaN垒层(2213)的厚度大于第二InGaN阱层(2221)的厚度，且所述第二GaN垒层(2213)的厚度小于所述第三GaN垒层(2222)的厚度，

所述第一GaN垒层(2211)的厚度小于所述第一InGaN阱层(2212)的厚度，所述第一InGaN阱层(2212)的厚度小于所述第三GaN垒层(2222)的厚度，所述第一GaN垒层(2211)的厚度为1～2nm，所述第一InGaN阱层(2212)的厚度为5nm，所述第二GaN垒层(2213)的厚度为6nm，

在由所述n型GaN层(21)指向所述p型GaN层(23)的方向上，所述第一InGaN阱层(2212)中的In的含量降低。

2.一种发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述发光二极管外延片制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长n型GaN层；

在所述n型GaN层上生长发光层，所述发光层包括依次层叠在所述n型GaN层上的第一复合层与第二复合层，所述第一复合层包括依次层叠在所述n型GaN层上的第一GaN垒层、第一InGaN阱层与第二GaN垒层，所述第二复合层包括多个交替层叠的第二InGaN阱层与第三GaN垒层，所述第一GaN垒层的厚度小于所述第三GaN垒层的厚度，所述第一InGaN阱层的厚度大于所述第二InGaN阱层的厚度，所述第二GaN垒层的厚度大于或等于第二InGaN阱层的厚度，且所述第二GaN垒层的厚度小于所述第三GaN垒层的厚度，所述第一GaN垒层的厚度小于所述第一InGaN阱层的厚度，所述第一InGaN阱层的厚度小于所述第三GaN垒层的厚度，所述第一GaN垒层的厚度为1～2nm，所述第一InGaN阱层的厚度为5nm，所述第二GaN垒层的厚度为6nm，

在由所述n型GaN层指向p型GaN层的方向上，所述第一InGaN阱层中的In的含量降低；

在所述发光层上生长p型GaN层。

3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，在所述第一GaN垒层上生长所述第一InGaN阱层时，将所述第一InGaN阱层的生长时间，按照时间顺序划分为通入In源时间与停止通入In源时间，

在所述通入In源时间内，向反应腔内持续通入In源，在所述停止通入In源时间内，停止向所述反应腔内通入In源。

4.根据权利要求3所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述第一InGaN阱层的生长时间为2～4min。

5.根据权利要求4所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述停止通入In源时间为10～40s。

6.根据权利要求3所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述停止通入In源时间与所述第一InGaN阱层的生长时间的比值小于或等于1/10。