[发明专利]一种双孢菇培植工艺在审

专利信息
申请号: 202010532866.2 申请日: 2020-06-11
公开(公告)号: CN111699914A 公开(公告)日: 2020-09-25
发明(设计)人: 沈蓉蓉 申请(专利权)人: 沈蓉蓉
主分类号: A01G18/00 分类号: A01G18/00;A01G18/40;A01G18/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 225500 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 双孢菇 培植 工艺
【权利要求书】:

1.一种双孢菇培植工艺,其特征在于:包括如下制备步骤:步骤一:播种及菌丝培养:利用运料车将培养料转运至出菇房的自动化上料机处,进行播种上料作业;播种量为0.6-0.8kg/㎡,之后,在培养料的表面覆盖一层地膜,即可进行菌丝培育,此步骤中,培养料的温度控制在24-26℃,室内空气湿度控制在90%,二氧化碳浓度控制在5000-11000ppm,培养时间为13-15天,理化指标为:水分:65-67%、N:2.2-2.4%、PH:6.4-6.9;

步骤二:覆草炭土:在培养料表面均匀的覆盖一层3-4cm厚的草炭土,覆草炭土完毕后,对培养床面的草炭土浇水,浇水量为每日1-1.5L/㎡,持续8天,此步骤中,室温控制在20-23℃,培养料温度控制在24-26℃,空气湿度控制在93-95%,二氧化碳浓度,前4天控制在8000-10000ppm,后4天控制在10000-13000ppm;

步骤三:搔菌:当菌丝穿透草炭土厚度的70-80%时,使用耙将草炭土表面2cm左右厚度耙松,此步骤中,室温控制在23-25℃,培养料温度控制在26℃以下,空气湿度控制在95%,二氧化碳浓度13000-15000ppm;

步骤四:对培养床床面上的多余的草炭土用耙工具除掉,此步骤中,室温控制在25℃,料温控制在27℃以下,湿度控制在95%,二氧化碳浓度15000-16000ppm,保持12-24小时;

步骤五:降温刺激:对培养床面的培养料浇水一次,浇水量为0.5-0.8L/㎡,将室温控制在15-17℃,培养料温度控制在22℃以下,空气湿度控制在70-78%,二氧化碳浓度800-1000ppm,降温时间为30-38小时,持续约3天,当菇蕾直径为0.5-1.5cm时,再次对栽培床面进行浇水,每日2.5-3L/㎡,将草炭土水分调整在77-79%,在3天内将水浇完,此时,室温控制在16-18℃,培养料温度控制在20-22℃左右,空气湿度控制在65-70%,二氧化碳浓度800-1200ppm;

步骤六:蘑菇采摘:菌盖形成至直径3-5cm的时候进行蘑菇的采摘,采摘四波,每次采摘周期为3-4天,采摘完成后将使用过的培养料取出,转入新的培养料,进行下一周期的蘑菇生产,采摘过程中,室温控制在16-20℃,培养料温度控制在18-22℃,空气湿度控制在65-80%,二氧化碳浓度800-1500ppm。

2.根据权利要求1所述的一种双孢菇培植工艺,其特征在于:包括如下步骤:在草炭土中加入碳酸钙,将草炭土的PH调整至7.5-7.8,水分调整至75-78%。

3.根据权利要求2所述的一种双孢菇培植工艺,其特征在于:所述草炭土与碳酸钙的质量比为80-90:10-20。

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