[发明专利]一种介质滤波器耦合转换结构及通信设备

说明书

本发明公开了一种介质滤波器耦合转换结构，包括陶瓷介质体，在所述陶瓷介质体上设有谐振孔和耦合盲孔，至少一个谐振孔为谐振通孔，其他谐振孔为谐振通孔或谐振盲孔；在所述陶瓷介质体的表面、各谐振孔的内壁、耦合盲孔的侧壁及孔底均通过金属化处理形成金属屏蔽层，所述谐振通孔的内壁设置有隔离区；本发明还公开了一种通信设备。本发明中，通过调整耦合盲孔和谐振孔的尺寸能够对谐振频率及耦合的大小进行调节，通过设置阶梯状的谐振通孔不仅能够方便的进行耦合极性的转换，在介质滤波器中实现交叉耦合，提高阻带抑制；而且能够改变滤波器高次模谐振频率，从而增大对远端寄生的衰减；加工工艺简单，实现方便。

技术领域

本发明涉及介质滤波器领域，特别涉及一种介质滤波器耦合转换结构及通信设备。

背景技术

滤波器是微波通信系统中不可或缺的电子元件，其性能决定了通信系统的质量。随着5G通信技术的到来，5G基站天线端口数从传统8端口增加到64端口、128端口，大幅度提升了滤波器的需求量。因此，小体积、轻量化、高性能滤波器应运而生且势在必行。而介质滤波器综合了腔体滤波器和传统介质滤波器的优良性能，故成为5G通信设备中最佳选择。

随着通信系统对带外抑制要求越来越高，为了实现滤波器阻带高抑制，介质滤波器通常需要加交叉耦合来引入传输零点，从而改善滤波器阻带抑制。交叉耦合是正耦合、负耦合按照滤波器拓扑结构进行合理排布，使不同路径信号产生相位差。为了在滤波器中同时实现正耦合、负耦合，需要引入耦合极性转换结构。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供了一种便于实现介质滤波器正、负耦合转换的结构及通信设备。

本发明的技术方案如下：

一种介质滤波器耦合转换结构，包括陶瓷介质体，在所述陶瓷介质体上设有至少两个谐振孔和至少一个耦合盲孔，每一耦合盲孔分别设置在两个相邻的谐振孔之间，在两个所述谐振孔之间形成耦合窗口；至少一个所述谐振孔为谐振通孔，其他谐振孔为谐振通孔或谐振盲孔；在所述陶瓷介质体的表面、各谐振孔的内壁、耦合盲孔的侧壁及孔底均通过金属化处理形成金属屏蔽层，所述谐振通孔的内壁还设置有至少一隔离区，用于将形成于谐振通孔的内壁上的金属屏蔽层分为至少两部分。

进一步的，至少一个所述谐振孔为谐振盲孔，所述谐振盲孔的深度小于耦合盲孔的深度，所述谐振盲孔与一谐振通孔相邻，至少一个所述耦合盲孔设置在该谐振盲孔与相邻的谐振通孔之间，在所述谐振盲孔的侧壁及孔底均通过金属化处理形成金属屏蔽层，在所述第一谐振孔的孔底设置有隔离区。

进一步的，至少两个相邻的所述谐振孔为谐振通孔，至少一个耦合盲孔设置在两个相邻的所述谐振通孔之间。

进一步的，所述谐振通孔包括开设在陶瓷介质体底面的第一谐振孔和开设在陶瓷介质体顶面的第二谐振孔，所述第一谐振孔和第二谐振孔连通设置，所述第一谐振孔的直径大于第二谐振孔的直径；在所述第一谐振孔的侧壁和第二谐振孔的侧壁均通过金属化处理形成金属屏蔽层，在所述第一谐振孔的孔底设置有环形的隔离区，所述隔离区用于隔离形成于第一谐振孔内壁上的金属屏蔽层和形成于第二谐振孔内壁上的金属屏蔽层。

进一步的，所述谐振通孔包括开设在陶瓷介质体底面的第三谐振孔、开设在陶瓷介质体顶面的第五谐振孔、以及用于连通第三谐振孔和第五谐振孔的第四谐振孔，所述第三谐振孔和第五谐振孔的直径均大于第四谐振孔的直径；在所述第三谐振孔的侧壁、第四谐振孔的侧壁和第五谐振孔的侧壁及孔底均通过金属化处理形成金属屏蔽层，在所述第三谐振孔的孔底设置有环形的隔离区，所述隔离区用于隔离形成于第三谐振孔内壁上的金属屏蔽层和形成于第四谐振孔内壁上的金属屏蔽层。

进一步的，所述第三谐振孔和第五谐振孔对称设置。

进一步的，所述谐振盲孔的深度小于耦合盲孔的深度，所述第三谐振孔的深度小于谐振盲孔的深度。

进一步的，所述耦合盲孔为圆形、矩形、腰形或椭圆形。