[发明专利]显示器件及其制备方法

权利要求书

1.一种显示器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基板，在所述基板上依次形成层叠设置的阴极层和第一电子传输层；

在所述基板上形成像素限定层，形成以像素限定层为侧壁、第一电子传输层为底的像素坑；

在所述像素坑内形成覆盖所述第一电子传输层的第二电子传输层；

在所述像素坑内形成覆盖所述第二电子传输层的发光层；及

在所述发光层上形成阳极层，得到所述显示器件；

所述在所述基板上依次形成层叠设置的阴极层和第一电子传输层包括：

在所述基板上依次形成层叠设置的阴极材料层和第一电子传输材料层；及

对所述阴极材料层和所述第一电子传输材料层进行图案化以形成层叠设置的阴极层和第一电子传输层；

所述阴极层包括金属膜层，所述金属膜层与所述第一电子传输层直接接触。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属膜层的材料选自Mg、Ba、Yb、Ag、Al、Pt和Cu中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述像素坑的数量为多个，每一像素坑中的所述发光层由不同颜色的发光材料构成，每一像素坑中的所述第二电子传输层的厚度与对应像素坑中的构成所述发光层的发光材料的颜色的光学腔长相匹配。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述像素坑包括第一像素坑、第二像素坑和第三像素坑，所述第一像素坑中的发光层为红色发光材料，所述第二像素坑中的发光层为绿色发光材料，所述第三像素坑中的发光层为蓝色发光材料；所述第二像素坑中的所述第一电子传输层和所述第二电子传输层的厚度之和小于所述第一像素坑中的所述第一电子传输层和所述第二电子传输层的厚度之和，且大于所述第三像素坑中的所述第一电子传输层和所述第二电子传输层的厚度之和。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一电子传输层和所述第二电子传输层在所述第一像素坑中的总厚度为10nm～50nm，所述第一电子传输层和所述第二电子传输层在所述第二像素坑中的总厚度为10nm～30nm，所述第一电子传输层和所述第二电子传输层在所述第三像素坑中的总厚度为10nm～20nm。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一电子传输层和所述第二电子传输层在所述第一像素坑中的总厚度为N×(130～150)nm，所述第一电子传输层和所述第二电子传输层在所述第二像素坑中的总厚度为N×(110～130)nm，所述第一电子传输层和所述第二电子传输层在所述第三像素坑中的总厚度为N×(60～100)nm；其中，N为正整数。

7.根据权利要求1～4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述阴极材料层和所述第一电子传输材料层于真空环境下通过气相沉积法形成，所述气相沉积法采用溅射工艺，所述第二电子传输层通过溶液法形成，所述溶液法采用喷墨打印工艺。

8.根据权利要求1～4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一电子传输层的材料选自ZnO、TiO_x、ZnMgO和ZnAlO中的一种或多种。

9.一种显示器件，其特征在于，包括基板、阴极层、第一电子传输层、像素限定层、第二电子传输层、发光层和阳极层，所述阴极层设于所述基板上，所述第一电子传输层设于所述阴极层上，所述像素限定层设于所述基板上形成以像素限定层为侧壁、第一电子传输层为底的像素坑，所述第二电子传输层设于所述像素坑内的所述第一电子传输层上，所述发光层设于所述像素坑内的所述第二电子传输层上，所述阳极层设于所述发光层上；

通过如下方法在所述基板上形成所述阴极层和所述第一电子传输层：

在所述基板上依次形成层叠设置的阴极材料层和第一电子传输材料层；及

对所述阴极材料层和所述第一电子传输材料层进行图案化以形成层叠设置的阴极层和第一电子传输层；

所述阴极层包括金属膜层，所述金属膜层与所述第一电子传输层直接接触。