[发明专利]显示器件及其制备方法

说明书

本发明涉及一种显示器件及其制备方法，包括以下步骤：提供基板，并在基板上依次形成阴极材料层和第一电子传输材料层；对阴极材料层和第一电子传输材料层进行图案化，形成阴极层和第一电子传输层；在基板上形成像素限定层，形成以像素限定层为侧壁、第一电子传输层为底的像素坑；通过溶液法在像素坑内形成覆盖第一电子传输层的第二电子传输层；在像素坑内形成发光层、阳极层，得到显示器件。本发明的制备方法既可以保证Ag等金属作为阴极层时可以直接与电子传输层接触，实现较好的器件性能，同时在图案化以及形成像素限定层的制程中能防止阴极材料被氧化而影响器件性能，而且可根据需要调整第二电子传输层的厚度。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示器件及其制备方法。

背景技术

半导体量子点具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优良特性。这些特点使得以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)在固态照明、平板显示等领域具有广泛的应用前景，受到了学术界以及产业界的广泛关注。

近年来，通过量子点材料合成工艺的改善以及器件结构的优化，QLED的性能有了大幅提升，但由于量子点材料的能级较深，电离势较大，使得现有的空穴传输层与量子点发光层之间的界面存在一个较大的空穴注入势垒，导致空穴注入较为困难，而相对的电子注入较为容易，从而引起QLED发光层中载流子不平衡，严重限制了QLED器件的性能。而倒置结构QLED，由于可以采用蒸镀型HTL材料，可选择材料类型更为广泛，同时通过P掺杂有效提升其空穴迁移率，进而大幅提升器件性能。但是，如何进一步提高器件性能仍然是本行业人员需要解决的问题和努力研究的方向。

发明内容

基于此，有必要提供一种可提高器件性能的显示器件的制备方法。

一种显示器件的制备方法，包括以下步骤：

提供基板，在所述基板上依次形成层叠设置的阴极层和第一电子传输层；

在所述基板上形成像素限定层，形成以像素限定层为侧壁、第一电子传输层为底的像素坑；

在所述像素坑内形成覆盖所述第一电子传输层的第二电子传输层；

在所述像素坑内形成覆盖所述第二电子传输层的发光层；及

在所述发光层上形成阳极层，得到所述显示器件。

在其中一个实施例中，所述在所述基板上依次形成层叠设置的阴极层和第一电子传输层包括：

在所述基板上依次形成层叠设置的阴极材料层和第一电子传输材料层；及

对所述阴极材料层和所述第一电子传输材料层进行图案化以形成层叠设置的阴极层和第一电子传输层。

在其中一个实施例中，所述阴极层包括金属膜层，所述金属膜层与所述第一电子传输层直接接触。

在其中一个实施例中，所述金属膜层的材料选自Mg、Ba、Yb、Ag、Al、Pt和Cu中的一种或多种。

在其中一个实施例，所述像素坑的数量为多个，每一像素坑中的所述发光层由不同颜色的发光材料构成，每一像素坑中的所述第二电子传输层的厚度与对应像素坑中的构成所述发光层的发光材料的颜色的光学腔长相匹配。

在其中一个实施例中，所述像素坑包括第一像素坑、第二像素坑和第三像素坑，所述第一像素坑中的发光层为红色发光材料，所述第二像素坑中的发光层为绿色发光材料，所述第三像素坑中的发光层为蓝色发光材料；所述第二像素坑中的所述第一电子传输层和所述第二电子传输层的厚度之和小于所述第一像素坑中的所述第一电子传输层和所述第二电子传输层的厚度之和，且大于所述第三像素坑中的所述第一电子传输层和所述第二电子传输层的厚度之和。