[发明专利]反激电源中利用可控硅隔离控制大功率负载的电路及电器

权利要求书

1.一种反激电源中利用可控硅隔离控制大功率负载的电路，包括高频变压器，与高频变压器通过管脚连接的吸收电路和次级输出电路，所述吸收电路上具有高压电源输入，其特征在于，还包括辅助供电电路、驱动电路和可控硅；所述辅助供电电路连接在所述高频变压器的管脚上，且所述辅助供电电路两端接入交流相线输入和模拟地；所述驱动电路的输出端连接可控硅的G极，用于控制可控硅的导通，所述可控硅的T1极接入所述交流相线输入，所述可控硅的T2极作为所述可控硅的输出端；

其中，当反激电源启动时，所述辅助供电电路上具有持续的直流电输出，并将该持续的直流电输出作为一基准值，使可控硅的导通条件由0到导通的变化转换为由基准值到导通；当所述驱动电路导通时，所述可控硅内具有所述辅助供电电路提供的直流电输入。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述驱动电路包括第一电阻、第二电阻、主控芯片、光耦和三极管，所述光耦的控制A极接入直流低压电源，所述光耦的控制K极接所述主控芯片的I/O口，所述光耦的第一输出端串联第一电阻和第二电阻，并接所述可控硅的G极，所述光耦的第二输出端接所述三极管的基极，所述三极管的发射极接所述模拟地，所述三极管的集电极接所述光耦的第一输出端，所述光耦的第二输出端与模拟地之间接有下拉电阻。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述辅助供电电路包括由第一二级管、第一限流电阻和第一滤波电容构成的第一缓冲电路、第一储能电容和第一假负载电阻，所述第一缓冲电路、第一储能电容和第一假负载电阻相互并联，且所述第一限流电阻两端分别接所述交流相线输入和模拟地。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述次级输出电路包括由第二二极管、第二限流电阻和第二滤波电容构成的第二缓冲电路、第二储能电容和第二限流电阻，所述第二缓冲电路、第二储能电容和第二假负载电阻相互并联，且所述第二假负载电阻两端作为所述次级输出电路的负载输出端。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述吸收电路包括第一整流二极管、第一滤波电容和第一放电电阻，所述第一整流二极管、第一滤波电容和第一放电电阻构成闭合回路，该闭合回路并联有第一限流电阻，所述第一限流电阻两端分别接高压直流输入和电源芯片输出。

6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括Y电容，所述Y电容包括呈星形连接的第一电容、第二电容和第三电容，所述第一电容、第二电容和第三电容的另一端分别对应连接在吸收电路、辅助供电电路和次级输出电路上。

7.一种净水器，其特征在于，包括如权利要求1至6任一项所述的一种利用可控硅隔离控制大功率负载的电路。

8.一种电器，其特征在于，包括如权利要求1至6任一项所述的一种利用可控硅隔离控制大功率负载的电路。